一种基于隔离式半桥驱动器的一种基于隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路电桥驱动电路
本文给读者介绍分析了一种基于隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路,供读者参考。
电路功能与优势
本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥,MOSFET受低压逻辑信号控制,如图1所示。该电路为逻辑信号和高功率
电桥提供了一个方便的接口。H电桥的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供电
流隔离。本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。
现代微处理器和微控制器一般为低功耗型,采用低电源电压工作。2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。
为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H电桥,必须精心选择接口和电平转换器件,特别是要求低抖动时。
ADG787是一款低压CMOS器件,内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。采用5 V直流电源时,有效的高电平输入逻辑电
压可以低至2 V。因此,ADG787能够提供驱动半桥驱动器ADuM7234所需的2.5 V控制信号到5 V逻辑电平的转换。
ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司iCoupler®技术,提供独立且隔离的高端和低端输出,因而可以专门
在H电桥中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处:N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的
1/3,最大电流更高;切换速度更快,功耗得以降低;上升时间与下降时间是对称的。
ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开,使得H电桥级的功耗最小。本电路中,H电桥的最大
驱动电流可以高达85 A,它受最大容许的MOSFET电流限制。
ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器,集成脉宽调制(PWM)控制器,其输出经过适当的电平转换和调理
后,可以用来驱动H电桥。
使用隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路 (CN0196)
图1. 使用ADuM7234隔离式半桥驱动器的H电桥(原理示意图:未显示去耦和所有连接)
电路描述
2.5 V PWM控制信号电平转换为5 V
EVAL-ADuC7061MKZ提供2.5 V逻辑电平PWM信号,但ADuM7234在5 V电源下的最小逻辑高电平输入阈值为3.5 V。由于存
在这种不兼容性,因此使用ADG787开关作为中间电平转换器。ADG787的最小输入逻辑高电平控制电压为2 V,与ADuC7061
的2.5 V逻辑兼容。ADG787的输出在0 V与5 V之间切换,足以驱动3.5 V阈值的ADuM7234输入端。评估板提供两个跳线,便
于配置控制PWM信号的极性。
H电桥简介
图1所示的H电桥具有4个开关元件(Q1、Q2、Q3、Q4)。这些开关成对导通,左上侧(Q1)和右下侧(Q4)为一对,左下侧(Q3)和
右上侧(Q2)为一对。注意,电桥同一侧的开关绝不会同时导通。开关可以利用MOSFET或IGBT(绝缘栅极双极性晶体管)实
现,使用脉宽调制(PWM)信号或控制器的其它控制信号接通和断开开关,从而改变负载电压的极性。
低端MOSFET(Q3、Q4)的源极接地,因此其栅极驱动信号也以地为参考。另一方面,高端MOSFET(Q1、Q2)的源极电压会随
着MOSFET对的接通和断开而切换,因此,最佳栅极驱动信号应参考或“自举”到该浮空电压。
ADuM7234的栅极驱动信号支持在各输入与各输出之间实现真正的电流隔离。相对于输入,各路输出的工作电压最高可达
±350 VPEAK,因而支持低端切换至负电压。因此,ADuM7234可以在很宽的正或负切换电压范围内,可靠地控制各种