NTR4502PT3G-VB：P沟道30V MOSFET适用于移动计算

"NTR4502PT3G-VB是一种P沟道的 MOSFET，采用SOT23封装，适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET特点是采用了TrenchFET® 技术的功率MOSFET，并且经过100%的Rg测试。其主要参数包括：在25°C时，当VGS分别为-10V、-6V和-4.5V时，RDS(on)分别为0.046Ω、0.049Ω和0.054Ω；Qg典型值为11.4nC。此外，该器件的最大连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在25°C和70°C时分别可达到-5.6A和-5.1A。MOSFET的绝对最大额定值包括：漏源电压VDS为-30V，栅源电压VGS为±20V，脉冲漏极电流IDM为-18A，以及最大功率耗散在25°C和70°C时分别为2.5W和1.6W。其热性能方面，结壳热阻（θJC）的典型和最大值也给出了具体数值。" NTR4502PT3G-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于需要高效能和小型封装的电子设备。它的关键特性是TrenchFET®技术，这是一种先进的制造工艺，能够提供更低的导通电阻（RDS(on)），从而在工作时减少功率损耗。这款MOSFET的RDS(on)非常低，对于不同VGS电压有不同的典型值，这表明其在低电压驱动下也能保持良好的开关性能，适合在低功耗应用中使用。 产品应用范围广泛，特别适合于移动计算设备，如笔记本电脑和移动设备的电源管理，比如作为负载开关，控制电源通断，或者在笔记本适配器中作为切换元件，以及在DC/DC转换器中用于电压调节。这些应用场景通常需要高效率和小尺寸的组件，NTR4502PT3G-VB的SOT23封装满足了这些需求。 MOSFET的电气特性中，持续漏极电流ID随温度变化，这意味着在不同工作环境温度下，其承载的最大电流会有所不同。例如，在25°C和70°C时，ID的最大值分别为-5.6A和-5.1A。此外，器件还具有脉冲漏极电流IDM的额定值，允许短时间内的大电流脉冲通过，但必须注意避免超过其绝对最大值。 安全操作区（SOA）是另一个重要的考虑因素，NTR4502PT3G-VB的额定值确保了在正常工作条件下不会超出其耐受范围，包括最大漏源电压VDS和最大漏极电流ID，以及最大功率耗散PD。此外，结温（TJ）和存储温度范围为-55°C至150°C，确保了器件在各种环境下的稳定性。 热性能是评价MOSFET可靠性的一个重要因素，NTR4502PT3G-VB的结壳热阻（θJC）数据给出了器件在不同条件下的散热能力，这直接影响到器件在高温环境下工作的寿命和可靠性。 NTR4502PT3G-VB是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET，特别适合于对体积和效率有严格要求的应用，其卓越的电气特性和可靠的热管理设计使其成为移动计算设备的理想选择。