赛普拉斯S27KL0641 HyperRAM：高性能3.0V/1.8V DDR存储解决方案

"Cypress S27KL0641 HyperRAM中文用户手册" 赛普拉斯半导体公司的S27KL0641是一款高性能的HyperRAM自刷新DRAM，它提供了3.0V和1.8V两种工作电压选择，旨在满足高速、低功耗的需求。这款存储器具有独特的低电平信号计数接口，支持多种I/O信号，包括单端时钟（CK）、差分时钟（CK、CK#）、芯片选择（CS#）、8位数据总线（DQ[7:0]）以及读写数据选通（RWDS）。RWDS作为一个多功能信号，在不同操作中分别作为刷新延迟指示、读取数据选通和写入数据掩码。 该HyperRAM支持双数据速率（DDR）传输，可以在每个时钟周期内传输两个数据，从而实现高达333 MB/s的数据速率。当VCC为1.8V时，其时钟频率可以达到166 MHz，对应数据速率333 MB/s；而在VCC为3.0V时，时钟频率可达100 MHz，数据速率则为200 MB/s。此外，S27KL0641具备顺序突发操作能力，用户可以根据需求配置不同的突发长度，如16、32、64、128个字节，甚至线性突发和混合突发选项，提供更大的灵活性。 在读取操作时序方面，当VCC/VCCQ为1.8V时，最大时钟频率为166MHz，最长访问时间为36ns，而从启动读取到访问第一个字的最长CS#时间（不包括刷新延迟）为56ns。在功耗方面，S27KL0641在1.8V、166MHz的突发读取或写入下，最大电流消耗为60mA，上电复位时为50mA，待机模式（CS#高电平，3V，105°C）下仅为300µA，而深度掉电模式下则降至40µA。为了适应不同应用场景，该设备还允许用户配置输出驱动强度。 S27KL0641 HyperRAM是针对高速、低功耗应用设计的一款高效能存储解决方案，具备灵活的突发长度配置和优化的读取时序，适用于需要快速数据传输和低功耗特性的系统。