赛普拉斯S27KL0641 HyperRAM:高性能3.0V/1.8V DDR存储解决方案

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"Cypress S27KL0641 HyperRAM中文用户手册" 赛普拉斯半导体公司的S27KL0641是一款高性能的HyperRAM自刷新DRAM,它提供了3.0V和1.8V两种工作电压选择,旨在满足高速、低功耗的需求。这款存储器具有独特的低电平信号计数接口,支持多种I/O信号,包括单端时钟(CK)、差分时钟(CK、CK#)、芯片选择(CS#)、8位数据总线(DQ[7:0])以及读写数据选通(RWDS)。RWDS作为一个多功能信号,在不同操作中分别作为刷新延迟指示、读取数据选通和写入数据掩码。 该HyperRAM支持双数据速率(DDR)传输,可以在每个时钟周期内传输两个数据,从而实现高达333 MB/s的数据速率。当VCC为1.8V时,其时钟频率可以达到166 MHz,对应数据速率333 MB/s;而在VCC为3.0V时,时钟频率可达100 MHz,数据速率则为200 MB/s。此外,S27KL0641具备顺序突发操作能力,用户可以根据需求配置不同的突发长度,如16、32、64、128个字节,甚至线性突发和混合突发选项,提供更大的灵活性。 在读取操作时序方面,当VCC/VCCQ为1.8V时,最大时钟频率为166MHz,最长访问时间为36ns,而从启动读取到访问第一个字的最长CS#时间(不包括刷新延迟)为56ns。在功耗方面,S27KL0641在1.8V、166MHz的突发读取或写入下,最大电流消耗为60mA,上电复位时为50mA,待机模式(CS#高电平,3V,105°C)下仅为300µA,而深度掉电模式下则降至40µA。为了适应不同应用场景,该设备还允许用户配置输出驱动强度。 S27KL0641 HyperRAM是针对高速、低功耗应用设计的一款高效能存储解决方案,具备灵活的突发长度配置和优化的读取时序,适用于需要快速数据传输和低功耗特性的系统。