H27TDG8T2DW2 128GB MLC NAND Flash Wafer Datasheet (Rev.0.2, July...

本文档是关于一款由SK海力士生产的H27TDG8T2DW2型号的128GB MLC（多层单元）NAND闪存芯片的数据手册修订版，版本为Rev0.2，发布日期为2017年7月11日。该闪存采用Toggle DDR（双数据速率）命令接口，具有高速度选项，包括533Mbps和200Mbps两种传输速率。其主要特性包括： 1. **多级细胞技术 (2-bit/Cell)**: 使用2位存储每个单元，提高了存储密度，减少了成本。 2. **产品编号**: - H27QEG8M3MDA-BCG：支持533Mbps，适合高带宽应用。 - H27QEG8M3MDA-BCC：同样支持533Mbps，但可能有不同封装或优化。 - H27TDG8T2DW1-BCC 和 H27TDG8T2DW2-BCC：这两种型号支持200Mbps，可能是针对低功耗或成本敏感场景设计。 3. **NAND接口**: - Toggle DDR命令接口：允许在单个时钟周期内完成读写操作，提高效率。 - x8并行数据总线宽度：增加了数据传输能力。 4. **供电电压**： - 全速模式下：Vcc（主电源）范围为2.7V至3.6V，VccQ（备用电源）范围为1.7V至1.95V。 - 在200Mbps速度下：Vcc和VccQ都保持在2.7V至3.6V，以优化功耗。 5. **组织结构**: - 存储容量：388页x1362块x2层，每个设备大小为2704+20块。 - 每层大小：1352块常规块加10个扩展块。 - 单块大小：6.0625MB。 - 页面大小：16,384字节和1,664字节的混合模式。 6. **读写操作**: - 支持页面级别的读写操作，这在现代NAND闪存中非常关键，可以实现高效的数据访问。 这份数据手册提供了关于H27TDG8T2DW2 MLC NAND闪存的详细规格和功能信息，对于设计工程师、硬件开发者以及需要了解此类存储组件性能的专业人士来说，是进行系统设计、评估和选择理想存储解决方案的重要参考资料。