H27TDG8T2DW2 128GB MLC NAND Flash Wafer Datasheet (Rev.0.2, July...
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更新于2024-08-03
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本文档是关于一款由SK海力士生产的H27TDG8T2DW2型号的128GB MLC(多层单元)NAND闪存芯片的数据手册修订版,版本为Rev0.2,发布日期为2017年7月11日。该闪存采用Toggle DDR(双数据速率)命令接口,具有高速度选项,包括533Mbps和200Mbps两种传输速率。其主要特性包括:
1. **多级细胞技术 (2-bit/Cell)**: 使用2位存储每个单元,提高了存储密度,减少了成本。
2. **产品编号**:
- H27QEG8M3MDA-BCG:支持533Mbps,适合高带宽应用。
- H27QEG8M3MDA-BCC:同样支持533Mbps,但可能有不同封装或优化。
- H27TDG8T2DW1-BCC 和 H27TDG8T2DW2-BCC:这两种型号支持200Mbps,可能是针对低功耗或成本敏感场景设计。
3. **NAND接口**:
- Toggle DDR命令接口:允许在单个时钟周期内完成读写操作,提高效率。
- x8并行数据总线宽度:增加了数据传输能力。
4. **供电电压**:
- 全速模式下:Vcc(主电源)范围为2.7V至3.6V,VccQ(备用电源)范围为1.7V至1.95V。
- 在200Mbps速度下:Vcc和VccQ都保持在2.7V至3.6V,以优化功耗。
5. **组织结构**:
- 存储容量:388页x1362块x2层,每个设备大小为2704+20块。
- 每层大小:1352块常规块加10个扩展块。
- 单块大小:6.0625MB。
- 页面大小:16,384字节和1,664字节的混合模式。
6. **读写操作**:
- 支持页面级别的读写操作,这在现代NAND闪存中非常关键,可以实现高效的数据访问。
这份数据手册提供了关于H27TDG8T2DW2 MLC NAND闪存的详细规格和功能信息,对于设计工程师、硬件开发者以及需要了解此类存储组件性能的专业人士来说,是进行系统设计、评估和选择理想存储解决方案的重要参考资料。
2024-04-30 上传
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