Hynix H27U1G8F2B 1Gbit NAND Flash Datasheet: Features and Specif...

Hynix的H27U1G8F2B是一款1Gbit（128Mx8bit）NAND闪存芯片，它提供了高效能且成本效益高的解决方案，适用于大规模存储应用。该系列闪存的特点包括： 1. **接口设计**： - 具有x8位宽的并行接口，支持地址和数据的多路复用，这提高了数据传输速度。 - 不同密度的产品具有相同的引脚兼容性，简化了设计集成。 2. **供电需求**： - 设备工作电压为3.3V级别，但推荐范围为2.7V到3.6V，确保了在标准操作条件下的稳定性能。 3. **内存结构**： - 内部采用高密度存储单元，每个存储单元包含(2K+64)字节的数据加上64字节的备用空间，共64页，组成1024个连续块。 4. **控制信号**： - 控制信号包括：Command Enable (CE)，Write Enable (WE), Read Enable (RE), Chip Select (CS), Word Line (WL), and Programming (P)信号。例如，在读取过程中，ALE（地址线使能）保持低电平，CLE（命令线使能）在读取期间变为高电平。 5. **模式选择**： - 数据表5中列出了不同模式下的信号状态，如在读取操作（Busy状态）期间，WE、RE和WP信号保持特定配置。 6. **版本更新**： - 该文档为初步版本，初始草稿发布于2008年5月13日，后续在2008年7月4日进行了修正，主要集中在表5的模式选择部分。 这款Hynix H27U1G8F2B NAND闪存适用于对容量、性能和成本敏感的系统，如移动设备、固态硬盘(SSD)和嵌入式系统等，通过其稳定可靠的设计，能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。开发者在使用时需要注意电源管理、接口配置和正确的操作指令，以充分发挥其性能潜力。随着技术发展，Hynix会持续优化产品规格，确保与市场需求保持同步。