Vishay Siliconix Si7386DP: 高效低导通电阻Trench FET MOSFET详解

本文档是关于Vishay Siliconix公司生产的Si7386DP型号的N-Channel Reduced Qg、快速开关型MOSFET的产品规格和技术特性。该器件是一款采用Trench FET技术的第二代高性能电力MOSFET，旨在提供高效率和低损耗解决方案。以下几点是文档中的关键知识点： 1. **环保特性**：Si7386DP提供无卤素版本，符合环保要求，对环境保护有所考量。 2. **技术特点**： - **Trench FET**：利用深沟槽工艺，提高了开关速度和热性能，减少了寄生电容（Qg），在VGS=10V时，典型值为0.007Ω。 - **优化功率密度**：针对高效率设计，适合在DC-DC转换器等应用中使用，特别是在个人计算机（PC）的电源管理领域。 3. **封装**：采用了低矮的PowerPAK SO-8封装，具有1.07mm的薄型设计，有助于散热和小型化，同时支持100% Rg测试。 4. **产品尺寸**：提供不同的引脚间距，如6.15mm、5.15mm，适应不同的电路板布局需求。 5. **订购信息**：文档提供了两种版本，分别是带铅的Si7386DP-T1-E3和无铅且无卤素的Si7386DP-T1-GE3，以及相应的表面安装建议。 6. **注意事项**： - 器件需在1"x1" FR4板上表面安装，并参考Solder Profile（焊接参数）以确保底部侧的可靠连接。 - 由于制造工艺，引脚终端裸露铜，不镀金，焊接时应在裸露铜尖处添加适量的焊膏，但无需额外的焊料填充来保证连接，因为这可能因单片化过程而不可保证。 Si7386DP是一款针对高性能应用的MOSFET，特别适合于追求高效能和小型化的电子设备设计，如DC-DC转换器，其独特的技术和封装设计使其在节能和散热方面表现出色。在使用时需要注意焊接条件和封装细节，以确保最佳性能和可靠性。