IRFP260M英飞凌高压MOSFET中文规格手册：低阻值与高可靠性

IRFP260M是一款由英飞凌(INFINEON)公司生产的高性能功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件。这款器件采用了第五代HEXFET技术，旨在提供极低的栅极到源极（VGS）电阻（Rds(on)）在硅片面积上，这显著提升了其开关速度和整体性能。该芯片的主要参数如下： 1. **连续电流（ID）**：在25°C时，IRFP260M在10V的栅极电压下可提供高达50A的持续漏极电流（Continuous Drain Current）。当温度升高到100°C时，这一电流会下降至35A，体现了其良好的热管理特性。 2. **最大脉冲电流（IDM）和功率耗散（PD）**：在正常工作条件下，它能够承受200A的脉冲漏极电流（Pulsed Drain Current），同时在25°C下允许的最大功率损耗为300W。线性降额因子为2.0W/°C，这意味着随着温度上升，功率处理能力会有所降低。 3. **电压控制**：该器件支持宽广的栅极到源极电压范围，为±20V，确保了足够的电压控制精度和动态响应。 4. **过载保护**：IRFP260M具有单脉冲雪崩能量（EAS）和重复雪崩能量（EAR）的保护，分别可达560mJ和30mJ，确保在过载条件下器件的安全性。 5. **恢复速度**：峰值二极管恢复速度（dv/dt）为10V/ns，这在快速开关应用中至关重要，能够减少电路中的电磁干扰（EMI）。 6. **温度等级**：器件的工作结温范围为-55℃到+175℃，存储温度范围更宽，而10秒内的焊盘温度限制为300℃（1.6mm离壳处）。此外，还提供了用于安装的扭矩标准，如6-32或M3螺纹，以及相应的拧紧力矩为10lbf•in（1.1N•m）。 7. **热阻抗**：IRFP260M具有较低的热阻抗，包括结-壳热阻（RθJC）约0.50°C/W，壳-散热器热阻（RθCS）约为0.24°C/W，以及结-环境热阻（RθJA）典型值为40°C/W，这些有助于有效地散热和提高整体设备效率。 IRFP260M英飞凌芯片是一款高性能的HEXFET，特别适合那些对低导通电阻、高效率、快速开关和良好热管理有严格要求的应用，如电源管理、电机驱动和工业控制等领域。通过其先进的工艺技术和稳健的封装设计，这款器件能够在各种极端条件下稳定运行，并提供卓越的可靠性和耐用性。