SUD25N06-45L-E3-VB：TO252封装N沟道MOSFET的175℃耐温应用详解

SUD25N06-45L-E3-VB是一款专为高效率和高温应用设计的N沟道TrenchFET型功率MOSFET，采用业界标准的TO252封装。这款器件具有以下关键特性： 1. **结构与特性**： - TrenchFET技术提供了优秀的开关性能和低栅极到源极（VGS）导通电阻（rDS(on)），在VGS = 10V时rDS(on)为0.025Ω，在VGS = 4.5V时降低到0.030Ω。 - 高额定工作温度可达175°C，确保在严苛环境下稳定运行。 2. **电流规格**： - 在室温下（TJ=25°C），连续漏极电流（ID）可达60A，而在100°C时为脉冲峰值电流（IDM）的限制。 - 源极电流（IS）支持23A的连续导电能力，以及20A的雪崩电流（IAS）。 - 单个雪崩能量（EAS）为20mJ，适用于1%的 duty cycle。 3. **热管理**： - 热阻值在不同条件下有所不同：短时间下的Junction-to-Ambient热阻典型值为18°C/W，而长期稳定状态下为40°C/W。 - Junction-to-Case热阻为3.2°C/W至4°C/W，有助于快速散热。 4. **电压规格**： - 最大允许的栅极对源极电压（VGS）为±20V，确保了器件的安全工作范围。 5. **应用与兼容性**： - 适用于1"x1" FR4板上表面安装，但需注意在10秒内不超过10秒的热应力。 - 符合RoHS*环保标准，是一款60V N沟道MOSFET。 6. **安全与限制**： - 温度范围广泛，从-55°C至175°C，涵盖了工作和储存条件。 - 产品提供了详细的绝对最大操作和储存温度限制。 7. **联系方式**： - VBsemi公司提供了客户服务热线400-655-8788，用户可查询更多详细资料。 SUD25N06-45L-E3-VB是一款高性能、耐高温的MOSFET，适用于各种高功率电子设备，特别是在那些需要高效散热和宽温度范围应用中，如电源管理、电机驱动或开关电源等。了解并遵守其操作限制和热管理措施是设计中不可或缺的部分。