优化冗余金属填充技术在集成电路制造中的应用

“一种优化的冗余金属填充方法.pdf”是一篇来自中国科技论文在线的学术文章，由张尤磊和黄其煜共同撰写。该研究关注集成电路制造中的一个重要问题——冗余金属填充，特别是在刻蚀和化学机械研磨等工艺日益敏感的背景下，如何优化填充方法以提升图形的均匀性，同时尽量减少对RC延迟的影响。 冗余金属填充是集成电路制造中的关键技术之一，用于改善芯片上的图形密度和梯度。在微电子制造过程中，由于工艺限制，裸露的硅片表面可能会出现不规则的空隙，这些空隙需要填充额外的金属层（冗余金属）以确保工艺的一致性和良率。传统的填充方法主要有基于规则的和基于窗格的两种。基于规则的方法按照预设的规则插入金属线条，而基于窗格的方法则更加灵活，能适应复杂的设计布局。 然而，这两种方法都有其局限性。基于规则的方法可能无法应对所有复杂情况，导致图形分布不均；而基于窗格的方法虽然灵活，但可能会增加不必要的RC延迟。针对这些问题，论文提出了一种新的优化方法，即结合图形匹配技术。通过图形匹配，可以更精确地找到需要填充的位置，同时考虑到了保持电路性能的关键因素——RC延迟。这种方法旨在克服传统填充方法的缺点，以达到更好的图形均匀性。 图形密度和图形梯度是衡量填充效果的重要指标。高密度可能导致工艺过程中的问题，如刻蚀不均匀和化学机械研磨的不一致性，而梯度过大则可能引起应力集中，影响芯片的可靠性和性能。通过优化的冗余金属填充，可以平衡这些因素，确保芯片的制造质量和运行效率。 关键词涵盖了冗余金属填充的核心要素：图形密度、图形梯度以及图形匹配技术。这些关键词揭示了研究的主要关注点和创新点，即如何利用图形匹配来改进填充策略，以适应集成电路制造技术的快速发展。 中图分类号 TN4A 指的是电子技术与信息科学，表明这篇论文属于该领域的研究成果。作者张尤磊是一名硕士生，专注于可制造性设计和掩模版版图设计，而黄其煜是副教授，研究领域涉及多孔材料和纳米压印技术。他们通过合作，为解决集成电路制造中的实际问题提供了理论和技术支持。 这篇论文提供了一个新的解决方案，以优化冗余金属填充过程，提高图形的均匀性，同时兼顾电路性能，对于集成电路制造领域的工艺改进具有重要的实践意义。