英飞凌IPB64N25S3-20功率晶体管规格手册：增强模式、AEC认证

IPB64N25S3-20是一款由INFINEON英飞凌生产的OptiMOS®-TPower-Transistor，它是一款高性能的N沟道增强型晶体管，适用于严苛的工业环境应用。这款芯片具备以下关键特性： 1. **工作模式与温度范围**： - N-channel Enhancement mode设计确保了高效率的电流控制。 - AEC（Automotive E电器电子委员会）认证，适合汽车电子应用，具有MSL1等级，可承受高达260°C的峰值再流焊温度。 - 操作温度范围宽广，可达175°C。 2. **环保与可靠性**： - 绿色产品，符合RoHS规范，对环境友好。 - 经过100%的雪崩测试，确保在高能量脉冲下的安全性。 3. **电气参数**： - 连续 Drain Current (ID) 在25°C下为64A，在100°C条件下降为46A。 - 单次脉冲下的 Drain Current (ID,pulse) 达到256A。 - 雪崩能量 (EAS) 在 ID = 27A时为270mJ。 - 雪崩电流 (IAS) 保持在27A。 - 输入导通时间 (dv/dt) 可以承受高达6kV/μs的陡度变化。 - 最大 Gate-to-Source Voltage (VGS) 范围为±20V。 - 功耗在25°C下最大为300W。 4. **热性能**： - Junction-to-Case Thermal Resistance (RthJC) 没有明确给出具体值，但表明其具有良好的散热性能，典型值为0.5K/W。 - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA) 未在提供的部分列出。 5. **封装与标识**： - 采用PG-TO263-3-2类型的封装。 - 标记为3PN2520，表明其物理尺寸和引脚配置。 - 版本信息：Rev.1.1，发布日期2014年9月12日。 6. **其他重要信息**： - Drain-to-Source Voltage (VDS) 的最大值为250V，而最大RDS(on) 阻抗为20mΩ。 - 总体概述显示为PG-TO263-3-2类型，适用于特定的电路设计。 这款IPB64N25S3-20是为需要高可靠性和耐高温应用设计的，如电机驱动、电源管理或开关电源系统，其电气性能和热管理能力使其成为理想的选择。在设计和使用时，应确保遵循芯片制造商提供的所有规格和指导，以充分发挥其潜力并确保系统安全。