FTU36N06N-VB：60V N沟道TrenchFET MOSFET应用与特性

"FTU36N06N-VB是一种N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO251封装，适用于电源供应和DC/DC转换器等领域。它符合RoHS指令，并经过100%的Rg和UIS测试。其主要特性包括低导通电阻、卤素免费以及耐热性能。" FTU36N06N-VB是一款由富士通或其他相关制造商生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计采用了TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上挖掘沟槽来实现更小的尺寸和更高的效率。TO251封装则提供了良好的散热性能和易于安装的特性。 这款MOSFET的关键特性包括： 1. **60V的额定Drain-Source电压 (VDS)**：这意味着它可以承受最高60伏的电压差，适合在需要较高电压控制的电路中使用。 2. **低导通电阻 (RDS(on))**：在VGS = 10V时，典型值为0.03欧姆，这降低了在导通状态下的功率损耗，提高了效率。 3. **100%的Rg和UIS测试**：确保了每个器件的可靠性和安全性，Rg测试验证了栅极到源极的绝缘质量，UIS测试则测试了器件承受过电压的能力。 4. **RoHS兼容**：符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，意味着该产品不含特定的有害物质，有利于环保。 5. **应用领域**：适用于电源供应的二次同步整流和DC/DC转换器，这些应用通常需要高效能和快速开关的MOSFET。 绝对最大额定值是确保器件安全操作的重要参数： - **Drain-Source电压 (VDS)**：最大60V，超过这个值可能会导致器件损坏。 - **Gate-Source电压 (VGS)**：±20V，过高或过低的电压都可能对MOSFET造成损害。 - **连续Drain电流 (ID)**：在不同温度下有不同的限制，例如在25°C时为5A，在70°C时为dA，具体值未给出，这表明电流能力会随着温度升高而降低。 - **脉冲Drain电流 (IDM)** 和 **雪崩电流 (IAS)**：分别达到了100A和40A，允许短时间内的高电流通过，但需注意防止过热。 - **单个雪崩能量 (EAS)**：在特定条件下最大为80mJ，超过这个能量可能会导致器件失效。 此外，还有关于**热性能**的数据： - **最大功率耗散 (PD)**：在25°C时为59.5W，这限制了器件在运行时可以散发的最大热量。 - **热阻抗**：包括结到环境的RthJA（46°C/W）和结到封装的RthJC（2.1°C/W），这些数值影响了器件的冷却能力。 FTU36N06N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的电源管理和转换应用，同时它的设计考虑了环保和可靠性。