SH367309锂电池BMS保护芯片：系统配置与寄存器详解

"这篇文档详细介绍了SH367309这款国产AFE（模拟前端）芯片，主要用于5-16串锂电池BMS（电池管理系统），提供了丰富的电池保护功能和数据采集能力。" SH367309是一款针对锂电池包的数字前端芯片，特别适合应用于总电压不超过70V的系统。这款芯片集成了多种硬件保护功能，包括过充电、过放电、充电和放电高温与低温保护、充放电过流保护、短路保护以及二次过充电保护，确保锂电池的安全使用。此外，SH367309还具备内置平衡开关，用于提升电芯的一致性，以及禁止低压电芯充电的功能，以防止电池在电压过低时进行充电，避免损坏。 该芯片具有13位电压/温度/电流采集的VADC，转换频率为10Hz，可对16个电芯电压、1路电流和3个温度通道进行监测。同时，它还配备了16位电流采集的Σ-ΔCADC，转换频率为4Hz，用于精确计算电池包的剩余容量。内置的EEPROM允许用户存储保护阈值和延时等可调参数，且可通过TWI通讯接口进行读写操作，支持CRC8校验以确保数据传输的准确性。 SH367309有两种工作模式：采集模式和保护模式。在采集模式下，芯片与MCU配合管理电池包，并启用所有保护功能。在保护模式下，芯片可独立执行保护任务。此外，还有仓运模式和烧写模式以适应不同应用场景。 芯片还包含一个3.3V的稳压电源，最大输出电流为25mA，以及用于关闭电池组负端NMOS的MOSFET驱动器。CTL管脚被优先用来控制充放电MOSFET的开关。低功耗设计使得芯片在IDLE、SLEEP和Powerdown状态下都能保持较低的能耗。封装形式为TQFP48。 在系统配置寄存器方面，如表8.35所示，二次过充电保护电压寄存器（0BH）通过PFV位设置，每一位对应20mV的电压增量。表8.36中的充放电过流自动恢复/二次过充电保护延时设置寄存器（10H）通过PFT位来设定延时时间，不同组合代表不同的延时长度。表8.37的系统配置寄存器2（01H）中的E0VB位控制禁止低压电芯充电功能，当设置为1时，如果电芯电压低于预设的低电压禁止充电电压VL0V并持续一定时间，充电MOSFET将被关闭，防止电池在电压过低时充电。VL0V的值可以在EEPROM中设定。