英飞凌IDD10SG60C SiC肖特基二极管中文规格书

"IDD10SG60C 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册" 英飞凌的IDD10SG60C是一款基于第三代thinQ!技术的硅碳（Silicon Carbide）肖特基二极管。这款二极管具有多项创新特点和优势，适用于高速切换应用。 主要特性： 1. **革命性的半导体材料**：IDD10SG60C采用硅碳材料，这是一种先进的半导体材料，提供了优异的电气性能和耐热性。 2. **卓越的切换行为**：作为切换行为的基准，该二极管在切换过程中表现出色，降低了开关损耗，提高了系统效率。 3. **无反向恢复/无正向恢复**：这意味着在开关操作时，IDD10SG60C不会产生反向或正向电流恢复，从而减少了能量损失和电磁干扰。 4. **温度独立的切换行为**：无论工作温度如何，其切换特性保持稳定，这在宽温范围内运行的应用中非常关键。 5. **高浪涌电流能力**：能够承受较大的非重复峰值正向电流，增强了设备对瞬时过载的承受能力。 6. **环保无铅电镀**：符合RoHS标准，采用无铅电镀，符合环保要求。 7. **JEDEC合格认证**：根据JEDEC标准进行资格认证，确保适用于目标应用。 规格参数： - **连续正向电流(IF)**：在温度低于130°C时，最大连续电流为10A。 - **最大非重复峰值正向电流(IF,max)**：在25°C下，10微秒内的峰值电流为410A。 - **重复峰值反向电压(VRRM)**：在25°C时，最大可承受的反向电压为600V。 - **二极管dv/dt耐受度(dv/dt)**：在0到480V的电压变化下，最大 dv/dt 为50 V/ns，这表明了二极管的动态稳定性。 - **总功率耗散(Ptot)**：在25°C时，最大功率耗散为120W。 - **工作和存储温度(Tj,Tstg)**：范围从-55°C到175°C，保证了在极端环境下的可靠性。 - **再流焊接温度(Tsold,reflow)**：最大再流焊接温度为260°C，符合MSL1标准。 此外， IDD10SG60C的非重复浪涌电流能力、优化的高温运行性能以及最低的Figure of Merit (QC/IF)和i²t值，都表明了其在高效能、高频率和高可靠性应用中的优越性。这些特性使得IDD10SG60C成为电动汽车、太阳能逆变器、电源转换系统等快切换应用的理想选择。