InP到SiN光子集成的新型倒装芯片技术

"flip chip integration of InP to SiN photonic integrated circuits" 本文主要探讨了InP（Indium Phosphide）到SiN（Silicon Nitride）光子集成电路的翻转芯片集成技术，这是一种创新的混合集成接口，旨在解决复杂光子集成电路中的对准和连接问题。该技术的核心在于其独特的对准方法，它降低了对准过程的复杂性，使得阵列集成如同单个芯片一样简便。 首先，文章介绍了一种垂直对准停止结构，这种结构简化了对准步骤，确保了在集成过程中不同芯片之间的精确对齐。这在实现多芯片模块化集成时尤为重要，因为微小的偏差可能严重影响光子器件的性能。 其次，为了实现水平对准，研究者利用光学背散射反射光谱（Optical Backscatter Reflectometry, OBR）获取实时反馈信号，而无需激活芯片。这种方法克服了传统主动翻转芯片对准时面临的接触限制，避免了在对准过程中对芯片功能的依赖，提高了对准的效率和精度。 论文中还提到，通过这种“无操作”对准策略，可以实现更高效、更可靠的芯片连接。这种技术对于高密度、高性能的光子集成系统尤其关键，因为它可以减少由于接触问题导致的故障，同时保持光子组件的性能。 此外，文章可能还详细讨论了实验结果和性能评估，包括集成接口的损耗、串扰以及稳定性等方面。这些指标对于验证新技术的有效性至关重要。作者可能还分析了与其他现有集成技术的比较，展示了新方法的优势，如更高的集成密度、更低的插入损耗和更好的热管理性能。 最后，尽管摘要没有提供具体的实验数据，但可以推测，作者可能会在完整的论文中详细介绍实验设置、测量方法以及实际应用案例，以证明所提出的技术在实际光子集成系统中的可行性与潜力。 "flip chip integration of InP to SiN photonic"是一种先进的芯片集成技术，通过创新的对准机制，解决了光子集成电路在复杂系统集成中的挑战，为未来高速、高密度的光通信和光电子系统提供了新的设计思路。