EN29LV160AB-70TI：3.0V单电源高性能Flash内存

EN29LV160AB-70TI是一款由Eon Silicon Solution公司生产的16兆比特（16MB，即2048KB x 8位或1024KB x 16位）闪存内存，特别适用于需要低功耗、高速度和灵活分区管理的应用场景。这款产品具有以下关键特性： 1. **电源兼容性**：EN29LV160A采用单一3.0伏特（3V）供电设计，旨在最大程度地减少系统级别的电力需求，适合CMOS环境。 2. **性能优越**：内存访问速度快，典型读取时间为70纳秒，表明其具有很高的数据传输速率，对于实时性和响应速度要求高的应用非常合适。 3. **低功耗**：在5MHz工作频率下，EN29LV160A显示出极低的功耗，如典型读取电流为9毫安，编程/擦除电流为20毫安，而在待机模式下的电流低于1微安，这有利于电池寿命延长和绿色设计。 4. **灵活的存储结构**：该内存支持多种存储单元划分方式，包括一个16KB字节模式的区域，两个8KB字节区域，一个32KB字节区域，以及31个64KB字节区域，以及字模式下的一个8KB字区，两个4KB字区，一个16KB字区和31个32KB字区，便于数据组织和优化存储空间。 5. **安全防护**：EN29LV160A提供硬件级别的 sector 锁定功能，防止在单个存储区域内进行编程或擦除操作，增加了数据安全性。此外，还允许临时的sector group解锁定，以方便代码的修改。 6. **高效编程/擦除速度**：内存的编程和擦除操作非常迅速，典型字节编程时间仅为8微秒，而整个sector的擦除时间通常为500毫秒，芯片擦除时间则为17.5秒，这意味着快速的数据更新和备份能力。 总结来说，EN29LV160AB-70TI是一款高性能、低功耗且具有灵活存储结构的闪存内存，适用于对数据存储、快速访问和安全保护有高要求的嵌入式系统和设备，特别是那些需要频繁编程和擦除操作但又需要控制能源消耗的场合。通过这款产品，工程师可以构建出响应快速且功耗控制得当的解决方案。