VBsemi AP6679GH-HF-VB：P沟道30V MOSFET技术规格

"AP6679GH-HF-VB是一种P沟道的MOSFET，采用TO-252封装，符合RoHS指令。这款器件适用于电源管理、开关应用等，具有低导通电阻和良好的热性能。" AP6679GH-HF-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计用于在各种电子设备中执行开关和放大功能。该器件的特点在于其符合欧盟的RoHS（ Restriction of Hazardous Substances）指令，这意味着它不含有欧盟禁止的特定有害物质，有利于环保。 该MOSFET采用TO-252封装，这是一种常见的表面安装或通孔安装封装形式，适合于高功率应用。其主要电气参数包括： - 阀值电压（VGS）：-20V，表示当栅极-源极电压达到这个值时，MOSFET将开始导通。 - 连续漏极电流（ID）：在25°C时最大可达到-70A，在125°C时则为-58A，这表明MOSFET在不同温度下的持续电流能力。 - 脉冲漏极电流（IDM）：瞬时峰值可达-240A，适合处理短时间的大电流脉冲。 - 雪崩能量（EAR）：在特定条件下，重复雪崩能量为180mJ，表明器件在安全操作区域内能承受一定的能量冲击。 此外，MOSFET的绝对最大额定值还包括了工作结温和存储温度范围，从-55°C到175°C，确保了它能在广泛的环境温度范围内稳定工作。热特性方面，MOSFET的结壳热阻（RthJC）和结环热阻（RthJA）分别为68.5°C/W和60°C/W，这些数据对于评估器件在实际应用中的散热能力至关重要。 在性能方面，AP6679GH-HF-VB具有较低的导通电阻，当VGS为-10V时，RDS(on)仅为0.009Ω，而VGS为-4.5V时，RDS(on)为0.011Ω，这使得它在高效率电路设计中尤为适用。需要注意的是，这些参数可能会随着温度和工作条件的变化而变化。 总体来说，AP6679GH-HF-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗开关操作的场合，例如电源管理、电机驱动、负载开关等。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788或查阅AP6679GH-HF-VB的数据手册获取更详细的技术信息。