IRFR1018ETRPBF-VB：高性能N沟道60V MOSFET

"IRFR1018ETRPBF-VB是一种N沟道的TO252封装MOS场效应晶体管，具有175°C的结温，采用TrenchFET技术，适用于高耐压、低电阻的应用场景。这款器件在25°C时的最大连续漏极电流ID为60A，在10V栅极电压下，漏源导通电阻RDS(on)仅为0.010Ω，4.5V栅极电压下则为0.013Ω。此外，它还具有一定的过载能力，如瞬态最大脉冲漏极电流IDM达到100A，连续源电流IS为50A，单次雪崩能量EAS可达125mJ。该MOSFET的最大功率耗散在25°C时为136W，工作及存储温度范围为-55°C至175°C。其热特性包括10秒内最大结壳热阻RthJA为15°C/W，稳定状态下的值为40°C/W，而结壳热阻RthJC的典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W。" IRFR1018ETRPBF-VB是一款由VBsemi公司提供的N沟道MOSFET，采用TO252封装，这种封装方式通常用于提供良好的散热性能，适合于需要高电流和高效率的电路设计。TrenchFET技术使得MOSFET的栅极结构更深入，降低了导通电阻，从而在高电流应用中实现更低的功率损耗。MOSFET的门极-源极电压VGS的最大允许值为±20V，这决定了其驱动电压的范围。 该器件在不同温度条件下的电流和功率等级是设计者需要考虑的关键参数。例如，尽管在25°C时ID可达60A，但随着结温升高至100°C，连续漏极电流会有所降低。同样，最大功率耗散也会随着环境温度的上升而受限。此外，MOSFET还具备一定的雪崩能力，允许在限定条件下承受一定的过载电流，但需要注意的是，长时间的过载可能会导致器件损坏。 IRFR1018ETRPBF-VB的热特性对散热设计至关重要。RthJA和RthJC分别表示了结到环境和结到外壳的热阻，这些参数对于评估器件在实际应用中的温升至关重要。较低的热阻意味着更好的散热效果，能确保MOSFET在高温环境下稳定工作，延长器件寿命。 IRFR1018ETRPBF-VB是一种高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高耐压、低导通电阻和良好散热能力的电源管理、电机驱动、开关电源等电子应用中。在使用时，应确保遵循其绝对最大额定值，以确保器件的可靠性和长期稳定性。同时，VBsemi公司提供的服务热线400-655-8788可以为用户提供技术支持和产品咨询。