IRLU3410PBF-VB：100V N沟道TO251封装MOSFET的高耐温与应用解析

IRLU3410PBF-VB是一款专为工业应用设计的高性能N沟道TO251封装MOSFET，它具有以下关键特性： 1. **高温耐受**：该MOSFET的最大结温可达175°C，确保在恶劣环境下也能稳定工作。 2. **高压能力**：能承受高达100V的 Drain-Source (D-S)电压，适合于需要高压开关的应用。 3. **测试认证**：所有器件都经过100% Rg测试，保证了可靠性和一致性。 4. **功率参数**： - 当VGS = 10V时，RDS(on)为0.115Ω，允许在持续工作状态下提供高效率。 - ID（连续导通电流）在25°C条件下最大可达到15A，而在125°C下有所下降至8.7A。 - Pulsed Drain Current (IDM)为45A，适用于短时间脉冲操作。 - 还包括了二极管导通条件下的连续源电流(IS)和雪崩电流(IAR)。 5. **安全限制**：提供了最高功率耗散（PD）限制，在25°C环境下的最大值为61W，以及热阻指标，如RthJA（junction-to-ambient）和RthJC（junction-to-case）。 6. **应用范围**：这款MOSFET适用于初级侧开关等应用，特别适合表面安装在1"x1" FR4板上，但需参考SOA曲线来了解电压降的影响。 7. **产品总结**：IRLU3410PBF-VB是一款紧凑型TO251封装，其顶部视图展示了电极布局（G、D、S），表明其作为DT-Trench Power MOSFET的技术水平。 8. **联系方式**：如需进一步服务支持，可通过400-655-提供的热线服务获取帮助。 IRLU3410PBF-VB是一款适合于对高温、高压和高可靠性有较高要求的电路中的N沟道MOSFET，用户在设计时需注意它的额定电压、电流参数和工作温度范围，同时确保遵循制造商提供的操作指导和安全注意事项。