BUK765R2-40B-VB: 40V N沟道TO263封装高性能MOSFET

本文档介绍了BUK765R2-40B-VB型号的N沟道TO263封装MOSFET，这是一种高性能的ThunderFET®功率MOSFET，适用于需要高效率和可靠性的电路设计。以下是该MOSFET的关键特性和规格： 1. **特性概述**： - **类型**: N沟道40V耐压的MOSFET，适合在高压差条件下工作。 - **封装**: TO263，这是一种常见的双列直插式封装，适合小空间应用。 - **温度管理**: 最大结温高达175°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。 - **可靠性测试**: 产品经过了100% Rg和UIS测试，保证了性能的一致性。 - **材料分类**: 提供了符合特定标准的合规定义，但具体细节需参考产品注释。 2. **电气参数**： - **VDS (Drain-Source Voltage)**: 最大电压为40V，允许在100μs脉冲模式下处理高达220A的电流。 - **RDS(on)**: 在不同条件下（如10V的GS电压下）有极低的导通电阻，典型值约为0.005Ω和0.006Ω。 - **ID (Continuous Drain Current)**: 在25°C时，连续电流额定值为100A；在125°C时降为60A。 - **Qg (Gate Charge)**: 代表关断电荷，典型值在10V GS电压下为53nC和98nC。 3. **安全限制**： - **最大功耗**: 在25°C时，最大功率消耗为150W，在125°C时为98W。 - **操作和存储温度范围**: 设计用于-55°C至+175°C的宽温工作环境。 4. **热阻抗**： - **RthJA**: 结温与环境温度之间的热阻，典型值为40°C/W，表示良好的散热性能。 - **RthJC**: 结到管壳的热阻，为0.75°C/W，对于内部热量的散出非常关键。 5. **联系方式**： - 文档提供了VBsemi公司的客户服务热线，方便用户查询或技术支持。 BUK765R2-40B-VB是一款针对工业级应用设计的N沟道MOSFET，其高性能、耐高温以及严格的可靠性测试使其在电力电子设备中扮演着核心角色。设计师在选择和使用这款MOSFET时，应充分考虑其电气参数、安全限制以及散热需求，以确保系统在各种工作条件下的稳定性和效率。