BSS84AK-VB：P-Channel MOSFET晶体管特性与应用

"BSS84AK-VB是一款由VBsemi公司生产的P-Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于高侧开关应用。该器件具有低导通电阻（3Ω典型值）、低阈值电压（-2V典型值）、快速切换速度（20ns典型值）以及低输入电容（20pF典型值）。它符合RoHS指令，并且是无卤素设计。在25°C下，其连续漏极电流为-500mA，脉冲漏极电流可达-1500mA，电源功耗最大460mW。最大结壳热阻为350°C/W，工作和存储温度范围在-55至150°C之间。" BSS84AK-VB是一款高性能的P-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术制造，这种技术使得器件在小封装下也能提供优良的电气性能。SOT23封装形式使其适合于空间有限的应用场景，如便携式设备、电源管理、电路保护和逻辑控制等领域。 此款MOSFET的显著特点是其低导通电阻（RDS(ON)），在VGS=10V时为3000mΩ，VGS=20V时同样保持较低水平，这使得在导通状态下流过晶体管的电流产生的功率损失减少，提高了效率。低阈值电压（Vth）为-1.87V，确保了在较低的栅极电压下就能开启MOSFET，有利于节省能源。 快速切换速度（20ns）意味着BSS84AK-VB在开关操作时能迅速响应，降低了开关损耗，这对于高频率开关应用至关重要。同时，低输入电容（20pF）减少了信号处理中的干扰，提高了电路的稳定性和响应速度。 安全方面，这款MOSFET的额定参数包括最大漏源电压（VDS）为-60V，最大栅源电压（VGS）为±20V，确保了在正常工作条件下的稳定性。连续漏极电流（ID）在25°C时为-500mA，100°C时则减小到-350mA，而脉冲漏极电流（IDM）可以达到-1500mA。此外，最大电源功耗（PD）在100°C时为240mW，避免了过热问题。 总体而言，BSS84AK-VB是一款设计精良、性能优越的P-Channel MOSFET，适用于需要高效、紧凑和可靠解决方案的电子设计。其符合RoHS标准的无卤素设计也满足了环保要求。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和支持。