AM2343PE-T1-PF-VB：SOT23封装P-Channel MOSFET技术规格

"AM2343PE-T1-PF-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和直流电源转换器等应用。该器件采用TrenchFET®技术，具有100%的Rg测试，确保了高质量和可靠性能。" AM2343PE-T1-PF-VB是P-Channel沟道MOSFET，其关键特性在于它的低导通电阻（RDS(on)）。在VGS = -10V时，RDS(on)典型值为47毫欧，这使得它在高电流传输时能保持较低的功率损耗，从而提高效率。随着栅极电压VGS的降低，RDS(on)会略有增加，如在VGS = -6V时为49毫欧，在VGS = -4.5V时为54毫欧。 这款MOSFET的工作电压范围为-30V，允许的最大连续漏源电流ID在不同温度下有所不同。在25°C时，ID可达到-5.6A，而当温度升高到70°C时，ID会降低至-5.1A或-4.3A，这取决于持续时间和散热条件。此外，脉冲漏源电流IDM在100微秒内可达到-18A。 AM2343PE-T1-PF-VB的绝对最大额定值包括-30V的漏源电压VDS和±20V的栅源电压VGS。在25°C时，连续源漏二极管电流IS为-2.1A，而最大功率耗散PD为2.5W。然而，随着温度上升，这些数值会有所下降，以防止过热。 在热特性方面，该器件的热阻抗参数（Thermal Resistance Ratings）对散热至关重要。其中，结壳热阻（θJC）和壳板热阻（θJB）的典型值和最大值没有直接给出，但指出在不同温度下的最大功率耗散限制，例如在25°C时为1.25W到1.6W，在70°C时为0.8W到1.6W，这依赖于散热条件。 该器件的封装形式为SOT23，这是一种小型表面贴装器件，适合空间有限且需要高效能的电路设计。AM2343PE-T1-PF-VB凭借其低RDS(on)和紧凑的封装，是用于移动计算设备和其他便携式电子产品的理想选择，特别是在需要高效电源管理的场合。