APM4550KC-TRL-VB：N+P沟道SOP8封装MOSFET技术规格

"APM4550KC-TRL-VB是一种结合了N沟道和P沟道的30V MOSFET，采用SOP8封装，具有无卤素、TrenchFET技术、100%Rg和UIS测试以及符合RoHS指令等特点。适用于电机驱动等应用。产品参数包括低导通电阻、低栅极电荷和绝对最大额定值，如源漏电压、栅源电压、连续和脉冲漏电流等。" APM4550KC-TRL-VB是一款高性能的双沟道MOSFET，由N沟道和P沟道器件组成，两者都集成在一个SOP8（小外形封装）中。这种设计允许在单个封装内同时控制电路的正向和反向电流，为电源管理、开关和电机驱动等应用提供了便利。 该MOSFET采用先进的TrenchFET技术，这是一种深度沟槽结构，能有效减小器件的导通电阻，从而提高效率和降低功耗。N沟道MOSFET在VGS=10V时的RDS(on)仅为0.018Ω，而在VGS=8V和4.5V时，RDS(on)分别为0.008和0.004Ω。P沟道MOSFET在VGS=-10V时的RDS(on)是0.032Ω，VGS=-8V和-4.5V时分别上升到0.034和0.040Ω。这表明其在各种工作条件下具有较低的导通电阻，适合需要高效开关操作的场合。 此外，APM4550KC-TRL-VB经过了100%的Rg和UIS测试，确保了器件的可靠性和稳定性。它符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含有任何有害物质，满足环保要求。此器件适用于电机驱动应用，但其使用并不限于此，还可以广泛应用于电源管理、电池保护、负载开关等领域。 在绝对最大额定值方面，N沟道和P沟道的源漏电压（VDS）均为30V，而栅源电压（VGS）的最大值为正负20V。连续漏电流（ID）在不同温度下有所不同，25°C时，N沟道和P沟道的最大ID分别为8A和-8A。此外，短脉冲漏电流（IDM）可达到40A，源漏电流二极管电流（IS）为正负2.6A。 APM4550KC-TRL-VB是一种高效、可靠且符合环保标准的双沟道MOSFET，适用于需要精确控制和高效率的电子系统，特别是在电机驱动和电源管理应用中表现出色。