华成英主编《模拟电子技术》第四版答案详解：半导体器件与电路分析

模拟电子技术基础是一门研究模拟电路设计与分析的课程，它涉及半导体器件的性质、工作原理以及应用。该资源包含了《模拟电子技术基础》（第四版）的部分习题解答，涵盖了第一章内容，包括常用半导体器件的基础知识。 1. **半导体器件类型及特性** - N型和P型半导体：题目中指出，N型半导体通过掺入适量的三价元素可以转化为P型半导体，这是正确的，因为三价元素会提供空穴，与N型半导体中的自由电子形成P-N结。 - 二极管和PN结：PN结在无光照和无外加电压时，确实没有结电流，因为内部的扩散电流和漂移电流相互抵消。 - 晶体管放大状态：集电极电流并非由多子漂移运动完全决定，还涉及到基区注入的少数载流子的复合，因此错误地认为是多子漂移形成的。 - 场效应管：栅-源电压使耗尽层承受反向电压，有助于形成高输入电阻（RGS）。 2. **半导体器件工作状态分析** - PN结电压：当加正向电压时，空间电荷区会变窄，这有利于电流的流动。 - 二极管和电流方程：电流方程中，硅二极管的电流与电压关系是非线性的，选项C正确。 - 稳压管：稳压管工作在反向击穿区，能保持输出电压基本恒定。 - 晶体管放大区：晶体管放大时，发射结正偏，集电结反偏，以实现电流放大。 - 场效应管恒流区：耗尽型MOS管在UGS=0V时，可以进入恒流区，结型管也是如此。 3. **电路分析与应用实例** - 图T1.3中的电路输出电压计算：涉及二极管的导通电压和不同电路结构下的电压分配。 - 图T1.4稳压电路：利用稳压管的稳压值和稳定电流确定输出电压。 - 晶体管过损耗区：通过最大耗散功率计算出不同电压下晶体管的电流，从而划定过损耗区。 - 图T1.6电路分析：可能是电源分配或滤波电路，需根据电路结构进一步分析输出电压或功能。 总结，该资源提供了一套全面且深入的模拟电子技术基础练习题和解答，帮助学习者理解半导体器件的特性和工作原理，同时掌握电路设计中的基本分析方法。通过这些习题和解答，学生可以巩固理论知识并提升实际问题解决能力。