RU30L30M-VB: 30V P沟道DFN8封装高性能MOSFET

RU30L30M-VB是一种高性能的P沟道低阈值（D-S）MOSFET，采用先进的Trench FET技术，具备出色的热性能和小型化设计。该MOSFET采用了DFN8(3X3)封装，具有以下主要特性： 1. **环保友好**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2. **散热效率高**：采用PowerPAK®封装，具有低热阻特性，能够有效降低元器件的温度，尤其是在紧凑的1.07mm厚度下。 3. **严格测试**：产品经过100% Rg和UIST测试，确保了可靠性和稳定性。 4. **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC RoHS指令，满足电子废弃物管理和有害物质限制的要求。 5. **广泛应用领域**：适用于各种应用场合，如负载开关、适配器开关以及笔记本电脑等。 6. **表面安装**：适合1"x1" FR4板的表面安装，但需注意在10秒的焊接时间下操作，对于无引脚组件，建议避免使用烙铁进行手动焊接。 7. **功率规格**： - 集成的连续 Drain-Source电压（VDS）高达-30V。 - Gate-Source电压（VGS）支持±20V范围，连续工作。 - 在25°C条件下，最大连续Drain电流（ID）可达-45A，而在70°C时有所降低。 - Pulsed Drain Current (IDM) 达到-60A，而单脉冲雪崩电流（IAS）为-25A，对应的单脉冲雪崩能量（EAS）为31.25mJ。 - 最大功率消耗在25°C时为52W，70°C时功率略有下降。 8. **温度范围**：操作和储存温度范围宽广，从TJ = -150°C至Ts = 150°C，具体条件见注释a、b。 RU30L30M-VB是一款高效、小型化的P沟道MOSFET，具有优良的性能指标和广泛的应用适应性，是工业级电子设备设计中的理想选择。在实际应用时，务必注意其特定的工作条件和焊接指导，以确保最佳性能和寿命。