Vishay Siliconix IRFD 9120：高速开关的低阻P沟道MOSFET技术手册

IRFD 9120是一款由Vishay Siliconix生产的高性能功率MOSFET，它属于第三代器件，旨在提供出色的开关速度、耐用的设备设计、低的导通电阻和经济性。这款芯片特别适合自动插装和端对端堆叠应用，支持P-Channel特性，工作温度可达175°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。 其关键特点包括： 1. 动态dv/dt等级：IRFD 9120能够承受快速电压变化的考验，这对于需要快速响应的电路设计非常重要。 2. 反复雪崩耐受：这意味着该器件能够在脉冲条件下工作，具有较高的抗过电压能力。 3. 适合自动插入：设计时考虑了自动化生产线的装配要求，简化了集成过程。 4. 结构紧凑：4针DIP封装是一种低成本且易于机器插入的外壳类型，便于集成到标准0.1英寸引脚中心的多层布局中。 5. 高散热效率：双极子 Drain设计作为热链接，有助于将产生的功率高效地传递到基板，最大支持1W的功率损耗。 6. 电气参数：在VGS = -10V时，RDS(on)为0.60Ω，显示出良好的导通性能。最大集电极电荷量Qg(Max.)为18nC，而Qgs和Qgd分别为3.0nC和9.0nC，这些参数影响着开关速度和存储电荷的能力。 7. 安全限制：重复峰值电流限制于特定脉宽内，以防止因过热导致的Junction温度过高（参见图11）。此外，当VDD = 25V，TJ = 25°C，L = 52mH，RG = 25Ω，且电流为IAS = -2.0A时，可实现可靠的操作（见图12）。 8. 工作范围：在VDS ≤ VDD且TJ ≤ 175°C的条件下，允许的电流变化率dI/dt为110A/μs，保证了器件在安全范围内工作。 IRFD 9120是一款适用于高效率、高可靠性电力电子应用的理想选择，设计师可以根据其特性进行精确的系统设计，确保性能和成本效益的平衡。对于那些需要处理大电流、快速切换或对成本敏感的项目来说，这款芯片是一个值得考虑的组件。