英飞凌BSC014N06NS芯片中文规格详解
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更新于2024-08-04
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"BSC014N06NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf"
这篇文章是关于英飞凌(INFINEON)公司的一款名为BSC014N06NS的N沟道OptiMOS功率晶体管的中文规格说明书。该芯片特别优化用于高性能开关电源系统,如同步整流器。它通过了100%雪崩测试,确保了卓越的热性能和高可靠性。芯片符合JEDEC标准,适用于目标应用,并且采用无铅镀层,符合RoHS(欧盟有害物质限制指令)和IEC61249-2-21的卤素免费要求,提高了焊点的可靠性和耐用性。
在技术参数方面,BSC014N06NS的最大连续漏电流(ID)在栅极电压VGS = 10V和温度TC = 25°C时为100A,在100°C时则降为100A。最大栅源电压(VGS)为±20V。脉冲漏电流(ID,pulse)在室温下可以达到400A。单脉冲雪崩能量(EAS)在ID = 50A,RGS = 25Ω条件下为580mJ。漏源电压(VDS)的最大值为60V,最大漏源导通电阻(RDS(on),max)为1.45mΩ。芯片的栅极电荷(QG)从0V到10V变化时为89nC,而栅极源电荷(QOSS)为100nC。
此外,规格书还提供了关于封装的信息,这款芯片采用PG-TDSON-8FL封装,其标识标记为"BSC0"。在特定的散热条件下(例如,40mm x 40mm x 1.5mm环氧PCB FR4板,单层70微米厚的铜面积用于漏极连接,垂直放置在静止空气中),其热阻(RthJA)为50K/W。
总体而言,BSC014N06NS是一款设计用于高功率密度应用的高性能功率MOSFET,具有出色的热性能、电气特性和环境友好性,是高效能电源转换解决方案的理想选择。在设计电路时,工程师应参考这些规格参数以确保最佳性能和长期稳定性。
2023-05-29 上传
2023-05-29 上传
2023-05-29 上传
2023-06-01 上传
2023-05-25 上传
2024-10-12 上传
2023-05-14 上传
2023-06-13 上传
2024-03-22 上传
2023-05-24 上传
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