英飞凌BSC014N06NS芯片中文规格详解

"BSC014N06NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 这篇文章是关于英飞凌（INFINEON）公司的一款名为BSC014N06NS的N沟道OptiMOS功率晶体管的中文规格说明书。该芯片特别优化用于高性能开关电源系统，如同步整流器。它通过了100%雪崩测试，确保了卓越的热性能和高可靠性。芯片符合JEDEC标准，适用于目标应用，并且采用无铅镀层，符合RoHS（欧盟有害物质限制指令）和IEC61249-2-21的卤素免费要求，提高了焊点的可靠性和耐用性。 在技术参数方面，BSC014N06NS的最大连续漏电流（ID）在栅极电压VGS = 10V和温度TC = 25°C时为100A，在100°C时则降为100A。最大栅源电压（VGS）为±20V。脉冲漏电流（ID,pulse）在室温下可以达到400A。单脉冲雪崩能量（EAS）在ID = 50A，RGS = 25Ω条件下为580mJ。漏源电压（VDS）的最大值为60V，最大漏源导通电阻（RDS(on),max）为1.45mΩ。芯片的栅极电荷（QG）从0V到10V变化时为89nC，而栅极源电荷（QOSS）为100nC。 此外，规格书还提供了关于封装的信息，这款芯片采用PG-TDSON-8FL封装，其标识标记为"BSC0"。在特定的散热条件下（例如，40mm x 40mm x 1.5mm环氧PCB FR4板，单层70微米厚的铜面积用于漏极连接，垂直放置在静止空气中），其热阻（RthJA）为50K/W。 总体而言，BSC014N06NS是一款设计用于高功率密度应用的高性能功率MOSFET，具有出色的热性能、电气特性和环境友好性，是高效能电源转换解决方案的理想选择。在设计电路时，工程师应参考这些规格参数以确保最佳性能和长期稳定性。