水热合成氟化磷酸钛化合物的结构研究与模板剂定位

需积分: 9 0 下载量 43 浏览量 更新于2024-08-11 收藏 128KB PDF 举报
"具有开放骨架结构氟化磷酸钛的水热合成及分子动力学辅助确定骨架中模板剂的位置 (2005年),作者:陈超等人,发表于吉林大学无机合成与制备国家重点实验室" 这篇论文研究的是在水热条件下制备的一种新型氟化磷酸钛化合物,具体为Ti4(PO4)4(HPO4)2F2·[(CH3)2N(CH2)2NH3][H3O],简称为TP-J3,其由吉林大学的研究团队合成。该化合物具有独特的三维开放骨架结构,这种结构在材料科学中有着重要的意义,因为它可能具备优良的性能,例如阳离子嵌入、离子交换、插层、非线性光学和氧化催化等。 合成过程利用了水热法,这是一种在高压高温下进行的化学反应方法,通常用于制备纳米材料和复杂晶体结构的无机化合物。在这个过程中,研究人员通过X射线粉末衍射、元素分析、热重分析以及X射线单晶衍射等多种表征技术,全面了解了该化合物的性质和结构。 单晶结构分析结果显示,TP-J3属于三斜晶系,P1空间群,其晶胞参数为a=0.6353(1)nm,b=0.8699(2)nm,c=1.1069(2)nm,α=93.94(3),β=90.13(3),γ=107.96(3),体积为0.5804(2)nm3,Z=2,R1=0.0391,wR2=0.0959,GOF=1.052。这些参数是晶体结构的基础,对理解化合物的稳定性、对称性和物理化学性质至关重要。 化合物的骨架结构由次级结构单元(SBU)[Ti2(PO4)2(HPO4)F]通过氧桥连接形成,这种结构在a和c方向产生了两种不同八元环孔道,它们相互交叉,形成了一种类似笼状的复杂结构。这种“类笼”结构对于存储和传输客体分子,如离子和小分子,具有潜在的应用价值。 论文还利用分子动力学计算模拟来确定模板剂——双质子化的有机胺——在骨架中的位置。计算结果表明模板剂位于“类笼”结构内部,并通过强烈的氢键作用与骨架原子稳定结合,这对保持骨架的稳定性和控制孔道特性起到关键作用。 这项研究不仅揭示了新型氟化磷酸钛化合物的结构特点,而且提供了利用分子动力学计算辅助设计和优化这类材料的方法。这对于未来开发功能化的磷酸钛材料,特别是在能源储存、催化和分离科学等领域,具有重要的理论和实践意义。

``` go athena # line x loc=0.00 spac=0.5 line x loc=1 spac=0.1 line x loc=4 spac=0.1 line x loc=6 spac=0.1 line x loc=10 spac=1 line x loc=20 spac=3 line x loc=40 spac=1 line x loc=72 spac=0.1 line x loc=75 spac=0.5 line y loc=0.00 spac=0.1 line y loc=1 spac=0.05 line y loc=2.5 spac=0.1 line y loc=4.5 spac=0.5 init silicon c.boron=7.0e14 orientation=100 diffus time=10 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=2 deposit barrier thick=0.3 divisions=3 etch barrier right p1.x=5.5 # N well implant phosphor dose=2.5e12 energy=100 crystal etch barrier all # Nwell annealing diffus time=30 temp=800 t.final=1150 nitro press=1.00 diffus time=90 temp=1150 nitro press=1.00 diffus time=30 temp=1150 t.final=800 nitro press=1.00 etch oxide all #y=1-0.5*exp(-2*(x·60)^2/200) etch silicon start x=0 y=1 etch continue x=0.1 y=1 etch continue x=75.1 y=-0.1 etch done x=0 y=-0.1 deposit barrier thick=0.3 divisions=3 etch barrier left p1.x=4.5 # Pwell implant boron dose=1.0e13 energy=35 crystal etch barrier all # Pwell annealing diffus time=150 temp=1050 nitro press=1.00 etch oxide all diffus time=20 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=2 etch oxide dry thick=0.02 deposit oxide thick=0.18 divisions=10 extract name="pos"(5.0) etch oxide left p1.x=$"pos" etch oxide right p1.x=72 extract name="sio2" thickness material="SiO~2" mat.occno=1x.val=2 etch oxide dry thick=$"sio2"/le4 # gate oxide diffus time=52 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 deposit nitride thick=0.2 divisions=2 etch nitride left p1.x=5 # channel adjust implant5e11 implant boron dose=5.0e11 energy=10 crystal etch nitride all deposit polysilicon thick=0.2 divisions=5 implant phosphor dose=1e15 energy=30 crystal extract name="pos1"(12.0) etch polysilicon left p1.x=2.0 etch polysilicon right p1.x=$"pos1" method fermi compress diffus time=3 temp=900 weto2 press=1.00 deposit nitride thick=0.1 divisions=1 etch nitride right p1.x=1.0 implant arsenic dose=1.0e16 energy=50 crystal etch nitride all deposit barrier thick=0.2 divisions=2 etch barrier left p1.x=0.8 etch oxide left p1.x=0.8 implant bf2 dose=5.0e15 energy=50 crystal etch barrier all method fermi compress diffus time=3 temp=950 nitro press=1.00 diffus time=1 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=2 #extract some parameters extract name="x_ndrifi" xj material="Silicon" mat.occno=1 y.val=1.1\junc.occno=3 extract name="t_si" thickness material="Silicon" mat.occno=1 y.val=1.1 extract name="pos_sio2"$"t_si"/le4-$"x_ndrift" deposit oxide thick=0.3 divisions=6 etch oxide above p1.y=-0.4 struct outfile=temp 1.str etch oxide start x=0.4 y=1.1 etch cont x=1.65 y=1.1 etch cont x=1.65 y=-0.6 etch done x=0.4 y=-0.6 etch oxide start x=73 y=1.1 etch cont x=75.5 y=1.1 etch cont x=75.5 y=-0.6 etch done x=73 y=-0.6 deposit aluminum thick=0.2 divisions=2 etch aluminum start x=3 y=1.1 etch cont x=71 y=1.1 etch cont x=71 y=-0.9 etch done x=3 y=-0.9 electrode name=source x=0.6 electrode name=drain x=74.5 electrode name=gate x=3.5 struct outfile=ldmos_ssq.str tonyplot ldmos_ssq.str```根据这个代码画出它的器件结构

2025-03-24 上传
手机看
程序员都在用的中文IT技术交流社区

程序员都在用的中文IT技术交流社区

专业的中文 IT 技术社区,与千万技术人共成长

专业的中文 IT 技术社区,与千万技术人共成长

关注【CSDN】视频号,行业资讯、技术分享精彩不断,直播好礼送不停!

关注【CSDN】视频号,行业资讯、技术分享精彩不断,直播好礼送不停!

客服 返回
顶部