Cypress FM25CL64B-GTR：64-Kbit Serial F-RAM技术规格

"FM25CL64B-GTR_2017-11-10.PDF" 是 Cypress Semiconductor Corporation 出品的一款64-Kbit(8K×8)串行SPI F-RAM存储器的数据手册。该器件具备高速耐久性、无延迟写入、高效能写保护机制和低功耗等特点，适用于需要高可靠性和快速存取速度的场合。 详细说明: 1. **F-RAM技术**: - FM25CL64B是一款基于铁电随机访问内存（F-RAM）技术的存储器，逻辑上组织为8K×8位的结构。 - F-RAM利用铁电材料的特性，提供了极高的读/写耐久性，达到100万亿次（10^14）次读/写操作，远超传统的闪存和EEPROM。 2. **性能特点**: - 高数据保留能力：保证151年的数据保持时间，确保长期的数据稳定性。 - 无延迟写入：与闪存和EEPROM不同，F-RAM在写入时没有延迟，提供即时的写入响应。 - 高速SPI接口：支持高达20MHz的工作频率，可以快速传输大量数据。 - 硬件兼容性：可直接替换SPI接口的串行闪存和EEPROM，无需修改硬件设计，支持SPI模式0 (0,0) 和模式3 (1,1)。 3. **写保护机制**: - 硬件保护：通过Write Protect (WP) 引脚实现物理级别的写保护。 - 软件保护：通过Write Disable指令禁止写入操作。 - 区域保护：软件支持将存储区域分为1/4、1/2或整个阵列的块保护，增强数据安全。 4. **低功耗**: - 在1MHz工作频率下，活跃状态电流仅为200μA。 - 待机状态下，电流仅为3μA（典型值），节省电源消耗。 5. **工作条件**: - 低电压运行：工作电压范围为2.7V至3.65V，适应性强。 - 工业级温度范围：可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，满足严苛环境的要求。 6. **封装选项**: - 提供8引脚的小外形集成电路（SOIC）封装和8引脚的薄型双列直插式封装（HSSOP），便于不同应用场景的安装和使用。 FM25CL64B-GTR是一款高性能、高耐久、低功耗的串行SPI F-RAM，适合于需要频繁写入操作、数据安全性高且对功耗敏感的应用，如工业自动化、医疗设备、物联网(IoT)节点以及车载电子设备等。