英飞凌SPP08N80C3：高压CoolMOS技术规格书

"SPP08N80C3是一款由英飞凌科技(INFINEON)推出的新型高电压功率晶体管，属于CoolMOS系列。这款芯片的中文版规格书手册详细列出了其特性、最大额定值以及应用领域。" SPP08N80C3是英飞凌公司采用全新革命性高电压技术制造的一款半导体器件，其主要特点包括： 1. 极高的dv/dt耐受能力：该芯片能够承受极端的电压变化率，这使得它在快速开关应用中表现出色，减少了开关损耗。 2. 高峰值电流能力：设计有较高的脉冲电流额定值，能够在短时间内处理较大的电流，适合需要大电流瞬态响应的应用。 3. 无铅电镀和符合RoHS标准：SPP08N80C3采用无铅电镀工艺，符合欧盟的环保要求，对环境友好。 4. 超低栅极电荷和有效电容：超低的栅极电荷和有效电容意味着更快的开关速度和更低的控制能量需求，从而提高了系统的效率和响应速度。 此款CoolMOSTM800V芯片主要适用于以下领域： 1. 工业应用：特别是在需要高直流母线电压的工业环境中，如电源转换、电机控制等。 2. 开关应用：例如主动钳位正向转换器，其出色的dv/dt性能和高电压耐受能力使其成为这类应用的理想选择。 规格书中列出了SPP08N80C3的关键参数： - 连续漏电流（ID）在25°C和100°C下的值分别为8A和5.1A。 - 脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C下为24A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=1.6A，VDD=50V时为340mJ。 - 反复雪崩能量（EAR）和反复雪崩电流（IAR）分别在不同条件下给出了相应的数值，确保了芯片在重复过载情况下的稳定性。 - MOSFET的dv/dt耐受能力在VDS=0…640V时可达到104V/ns。 - 静态栅源电压（VGS）的最大值为±30V，交流（f>1Hz）时为±20V。 - 最大漏源电压（VDS）为800V。 - 在25°C下的最大漏源导通电阻（RDS(on)）为0.65Ω。 - 典型栅极电荷（Qg,typ）为45nC。 此外，手册还提供了操作和存储温度范围（-55°C至150°C）、安装扭矩建议（对于M3和M3.5螺丝为60Ncm）等关键信息，确保了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。总体来说，SPP08N80C3是一款高性能、高耐压、低损耗的功率晶体管，适用于需要高效能和可靠性的电力电子系统。