2N5401 PNP晶体管数据手册：参数、特征、应用

2N5401 中文数据手册 在这份数据手册中，我们可以看到 2N5401 是一款 TO-92 塑封封装的 PNP 半导体三极管。下面我们将详细介绍该三极管的特征、参数、应用场景等知识点。 特征 2N5401 三极管具有高击穿电压，能够与 2N5551 互补，适合用于普通高压放大应用场景。该三极管的内部等效电路为 PNP 结构， Collector、Base 和 Emitter 分别对应 PIN1、PIN2 和 PIN3。 参数 在参数表中，我们可以看到 2N5401 三极管的主要参数包括： * Collector 到 Base 电压（VCBO）：-180V * Collector 到 Emitter 电压（VCEO）：-160V * Emitter 到 Base 电压（VEBO）：-6.0V * Collector 连续电流（IC）：-600mA * Base 连续电流（IB）：-300mA * Collector 功率耗散（PC）：625mW * Junction 温度（Tj）：150℃ * 存储温度范围（Tstg）：-55～150℃ 同时，我们还可以看到 Collector Cut-Off 电流（ICBO）和 Emitter Cut-Off 电流（IEBO）的测试条件和参数值。 应用场景 2N5401 三极管适合用于普通高压放大应用场景，如音频功率放大器、电源管理电路等。由于其高击穿电压和高电流承载能力，使其在这些应用场景中具有广泛的应用前景。 等效电路 内部等效电路是指三极管的内部结构关系图。对于 2N5401 三极管，其内部等效电路为 PNP 结构，Collector、Base 和 Emitter 分别对应 PIN1、PIN2 和 PIN3。 引脚排列 引脚排列是指三极管的引脚排列方式。对于 2N5401 三极管，其引脚排列方式为 TO-92 塑封封装，PIN1、PIN2 和 PIN3 分别对应 Collector、Base 和 Emitter。 hFE 分类 hFE 是三极管的增益参数，反映了三极管的放大能力。对于 2N5401 三极管，hFE 的分类有 A、B 和 C 三种，分别对应不同增益范围。 2N5401 三极管是一款功能强大、应用广泛的 PNP 半导体三极管，适合用于普通高压放大应用场景。