BSO301SP-VB:P沟道100%Rg&UIS测试的TrenchFET MOSFET
71 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 580KB PDF 举报
"BSO301SP-VB是一款P沟道的SOP8封装MOS场效应晶体管,适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。它具有无卤素、TrenchFET®技术、100%栅极电阻测试和100%UIS测试的特点。"
BSO301SP-VB是一款P沟道MOSFET,其主要特性包括:
1. **无卤素**:该器件不含卤素,符合环保要求,适用于对环保有严格要求的电子产品。
2. **TrenchFET® PowerMOSFET**:采用TrenchFET®技术,这是一种沟槽结构的MOSFET设计,能提供更低的导通电阻和更好的热性能,从而提高效率和功率密度。
3. **100% Rg测试和100% UIS测试**:所有产品都经过了严格的栅极电阻(Rg)和雪崩击穿(UIS)测试,确保了可靠性和安全性。
在应用方面,BSO301SP-VB常用于以下场景:
1. **负载开关**:作为电路中的控制元件,能有效地开启和关闭电流流经的路径。
2. **笔记本适配器开关**:在笔记本电源适配器中,它可能被用作电源管理的一部分,控制电源的输入和输出。
在电气参数上,BSO301SP-VB的主要规格包括:
- **最大漏源电压(VDS)**:-30V,表示MOSFET能承受的最大电压差。
- **门源电压(VGS)**:-10V时的典型RDS(on)为0.011Ω,-4.5V时的典型RDS(on)为0.015Ω,RDS(on)越低,导通状态下的内阻越小,效率越高。
- **连续漏极电流(ID)**:在不同温度下有不同的额定值,如25°C时为-13.5A,70°C时为-8.6A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**:最大瞬态电流可达到-50A,适用于短时间的大电流需求。
- **连续源漏二极管电流(IS)**:在25°C时为-4.1A,表明MOSFET内置的体二极管能承载的反向电流。
- **雪崩电流(IAS)**:在特定条件下,允许的最大雪崩电流为-20A,保证器件在过载时的稳定性。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**:最大允许的雪崩能量为20mJ,这是器件能够承受而不损坏的能量水平。
- **最大功率耗散(PD)**:在不同温度下,最大允许的功率损耗分别为2.7W(25°C)和1.7W(70°C)。
此外,BSO301SP-VB的热特性也非常重要,例如:
- **最大结温(TJ)和存储温度范围(Tstg)**:-55到150°C,保证了器件在广泛的工作和储存环境下的稳定性。
- **热阻抗(θJA)**:给出了器件在不同条件下的热性能指标,影响器件的散热能力。
BSO301SP-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要高效、稳定和可靠开关功能的应用中。其独特的TrenchFET®技术和严格的测试标准,确保了在各种工作条件下的卓越表现。
2024-01-03 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
2024-04-12 上传
VBsemi_微碧半导体
- 粉丝: 8876
- 资源: 2739
最新资源
- 掌握压缩文件管理:2工作.zip文件使用指南
- 易语言动态版置入代码技术解析
- C语言编程实现电脑系统测试工具开发
- Wireshark 64位:全面网络协议分析器,支持Unix和Windows
- QtSingleApplication: 确保单一实例运行的高效库
- 深入了解Go语言的解析器组合器PARC
- Apycula包安装与使用指南
- AkerAutoSetup安装包使用指南
- Arduino Due实现VR耳机的设计与编程
- DependencySwizzler: Xamarin iOS 库实现故事板 UIViewControllers 依赖注入
- Apycula包发布说明与下载指南
- 创建可拖动交互式图表界面的ampersand-touch-charts
- CMake项目入门:创建简单的C++项目
- AksharaJaana-*.*.*.*安装包说明与下载
- Arduino天气时钟项目:源代码及DHT22库文件解析
- MediaPlayer_server:控制媒体播放器的高级服务器