英飞凌IPD90N04S403ATMA1：高性能汽车级 MOSFET 芯片详细规格

"IPD90N04S403ATMA1 是一款由英飞凌（INFINEON）生产的电子元器件芯片，属于OptiMOS®-T2系列的N沟道增强型功率晶体管。这款芯片在汽车电子应用中广泛使用，符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。它能在高达175°C的运行温度下工作，并且是符合RoHS规定的绿色产品。芯片的关键特性包括通过100%雪崩测试，最大连续漏电流ID为90A，脉冲漏电流可达360A，以及耐受高能量的单脉冲雪崩能量（EAS）。此外，其栅源电压VGS的最大值为±20V，额定功率耗散为94W，采用PG-TO252-3-313封装，表面标记为4N0403。" 详细解释： 1. **N沟道增强型**：这是一种半导体器件类型，意味着当栅极电压高于阈值时，可以形成一个导通路径，允许电流从漏极流向源极。 2. **AEC-Q101认证**：这是汽车行业对电子元件的质量和可靠性标准，表明该芯片适合用于汽车电子系统。 3. **MSL1**：湿度敏感度等级，表示在260°C峰值再流条件下，器件的存储寿命最长，适用于高可靠性应用。 4. **175°C操作温度**：芯片可以在极端高温环境下稳定工作，适合于需要承受高温的场合。 5. **RoHS合规**：符合欧盟关于限制使用有害物质的指令，是环保和可持续发展的标志。 6. **100%Avalanche测试**：表明芯片经过严格的雪崩测试，能承受高能量的电流冲击而不损坏，增强了其安全性和耐用性。 7. **最大连续漏电流ID**：在特定条件下，芯片能连续通过的最大电流，对于IPD90N04S403，ID在25°C时为90A，100°C时也是90A。 8. **脉冲漏电流ID,pulse**：在短时间内能承受的峰值电流，对于这款芯片，在25°C下可达到360A。 9. **Avalanche Energy (EAS)**：单脉冲雪崩能量，表示芯片在不损坏的情况下能承受的最大雪崩能量，为185mJ。 10. **RDS(on),max**：在规定条件下，晶体管导通时的源漏极电阻，越小意味着导通时的电压损失越低，效率越高，这里的最大值为3.2mΩ。 11. **Thermal Resistance**：热阻参数包括结-壳热阻（RthJC）和结-环境热阻（RthJA），分别代表了芯片内部热能传递到外壳和环境的效率，数值越低，散热性能越好。对于IPD90N04S403，RthJC为1.6K/W，RthJA为62。 12. **Package**：PG-TO252-3-313封装，这是一种常见的功率器件封装形式，便于安装和散热。 这款IPD90N04S403ATMA1芯片由于其出色的电气特性和高可靠性，适用于各种需要大电流处理、高温环境稳定工作的电力驱动、电源管理以及汽车电子系统中。