单端正激电源设计详解：变压器设计与磁饱和预防

"【我是工程师】单端正激双管式开关电源设计之变压器设计.pdf" 本文主要探讨了单端正激双管式开关电源的变压器设计，作者以江苏泰州工程师cjhk的身份分享了自己的设计经验和理解。单端正激式开关电源常用于200W以下的功率应用，尽管作者曾见过1200W的实例，但效率并不高。这种拓扑结构的核心在于防止变压器磁饱和，而关键措施是引入去磁绕组或复位绕组。 去磁绕组与初级绕组圈数相同，其作用是与初级绕组产生的磁场方向相反，从而在能量传递过程中抵消磁芯的残留能量，避免磁饱和现象导致的设备损坏。理论上，理想的正激拓扑不需要去磁绕组，但由于实际磁芯工作特性的限制，去磁绕组成为必要。 关于去磁绕组与初级绕组的绕制方式，作者提到《变压器与电感器设计》一书中提及的双线并绕，但对此存在疑问，因为通常双线并绕是为了降低趋肤效应，而书中的解释不太明确。文中还提到了其他如王志强翻译的《精通开关电源设计》等专业书籍作为学习参考。 单端正激式拓扑结构的电路设计包括电源管理芯片的选择、功率MOSFET的损耗计算，以及各个功能电路的分析。这些内容将在后续的分享中逐步展开，但由于作者工作繁忙，分享过程可能较为缓慢，且部分分析可能存在不足或错误，期待读者的指正和讨论。 总结来说，这篇文档是关于单端正激双管式开关电源变压器设计的深入探讨，涵盖了磁饱和防止机制、变压器绕组设计以及相关理论依据，对于理解和设计这类电源具有较高的实践指导价值。