AP4437GM-HF-VB:SOP8封装P沟道MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"AP4437GM-HF-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装的P-Channel场效应MOS管,具有低电阻、高效能的特点,适用于电源管理及负载开关应用。"
AP4437GM-HF-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,采用SOP8(小外形封装)设计,适合在空间有限的电路板上使用。该器件的核心特性是其低阻抗,具体表现为RDS(ON)在VGS = 10V时为10mΩ,而在VGS = 20V时为10mΩ,这使得它在高电流传输时能保持较低的电压降,从而提高系统的效率。
这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准,是无卤素的环保产品。它采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过沟槽结构实现更小的尺寸和更高的功率密度。100%的Rg测试确保了器件的栅极电阻一致性,而100%的UIS测试则保证了其在过电压情况下的安全工作能力。
AP4437GM-HF-VB的应用广泛,特别适合用作负载开关,例如在笔记本电脑和台式电脑中。其参数如下:
- 最大Drain-Source电压(VDS)为-30V,意味着它能够承受高达30伏的反向电压。
- 当温度为25°C时,连续Drain电流(ID)可达到-11.6A,但随着温度升高,电流会相应降低。
- 在特定条件下,脉冲Drain电流(DM)最大可达-40A,而连续Source-Drain二极管电流(IS)为-4.6A至-2.0A。
- 它的雪崩电流(AS)在L=0.1mH时为-20A,表明其在设计中考虑到了浪涌电流的能力。
- 单脉冲雪崩能量(AS)的最大值为20mJ,这允许器件在一定的能量冲击下仍能保持稳定。
此外,AP4437GM-HF-VB的最大功率耗散(PD)在不同温度下有所不同,25°C时为5.6W,70°C时为3.6W,这意味着在进行热设计时需考虑到工作环境温度的影响。操作结温与存储温度范围为-55°C到150°C,确保了器件在宽温范围内也能正常工作。
AP4437GM-HF-VB是一款高可靠性的P-Channel MOSFET,具备低RDS(ON)、良好的热性能和耐压能力,适合于需要高效能、小型化和环保的电源管理应用。
2024-04-10 上传
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2023-12-15 上传
2024-04-11 上传
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2024-04-08 上传
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