SKHynix DDR3 SDRAM 规格书 Rev.1.2
"DDR3_H5TQG83GFR是SK海力士(Hynix)生产的一款2Gb DDR3 SDRAM内存芯片,适用于需要大容量存储和高带宽的主内存应用。该芯片遵循DDR3规范,具有双倍数据速率同步动态随机存取存储器的特点,支持在时钟的上升沿和下降沿进行同步操作。产品系列包括H5TQ2G83GFR-xxC、H5TQ2G63GFR-xxC、H5TQ2G83GFR-xxI、H5TQ2G63GFR-xxI、H5TQ2G83GFR-xxJ、H5TQ2G63GFR-xxJ、H5TQ2G83GFR-xxL和H5TQ2G63GFR-xxL,且符合无铅和无卤素的RoHS标准。" DDR3内存技术详解: DDR3,全称为Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory,是DDR内存的一种升级版本,相比于DDR和DDR2,它提供了更高的数据传输速度和更低的功耗。DDR3的主要特点包括: 1. **数据传输速率**:DDR3内存的数据传输速率通常从800MT/s到1600MT/s不等,高于DDR2的667MT/s至1066MT/s。在本资源提到的H5TQG83GFR系列中,虽然具体速度未给出,但作为2015年的产品,它们很可能支持1066MT/s到1333MT/s的频率。 2. **电压降低**:DDR3的工作电压比DDR2更低,为1.5V,而DDR2是1.8V,这有助于减少系统的能耗。 3. **Bank Group架构**:DDR3引入了Bank Group架构,可以同时处理多个银行的读写操作,提高了内存访问效率。 4. **预取位宽**:DDR3的预取位宽通常是8位,而DDR2是4位,这意味着DDR3可以在每个时钟周期内处理更多的数据。 5. **时钟同步**:DDR3内存的工作是与系统时钟同步的,数据在时钟的上升沿和下降沿都被传输,从而实现了双倍数据速率。 6. **封装和容量**:H5TQG83GFR系列内存芯片是2GB容量的,采用32片x8或16片x16的组织结构,形成2,147,483,648位(2GB)的总容量。 7. **RoHS合规**:RoHS代表欧盟的《关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的指令》,产品标识中的“Lead-Free&Halogen-Free”表示这些内存芯片不含铅且不含卤素,符合环保要求。 8. **修订历史**:从文档的修订历史可以看出,产品经历了多次更新,包括包尺寸、IDD(电源电流需求)和操作注意事项等方面的改进。 9. **IDD更新**:IDD是指集成电路的静态和动态电源消耗,每次更新可能涉及了对不同工作模式下电流消耗的调整,以优化性能和能效。 10. **操作注意事项**:更新可能包含了对正确使用和安装内存的额外指导,以确保其稳定性和兼容性。 DDR3_H5TQG83GFR是SK海力士生产的高性能、低功耗内存芯片,广泛应用于需要高效能内存的系统中,如服务器、工作站和个人计算机。其设计和制造遵循了严格的行业标准,确保了产品的可靠性和环保特性。
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