三星DDR3内存颗粒规格详解-H5TQ4G系列

"三星DDR3颗粒的详细规格说明书，涵盖了H5TQ4G83EFR和H5TQ4G63EFR系列的不同版本，适用于汽车级温度范围，具有无铅和无卤素特性，符合RoHS标准。文档经过多次修订，包括了x16和x8的IDD规格更新，以及针对汽车应用的温度部分更新。这些内存芯片旨在提供高内存密度和宽带宽，适用于主要内存应用。" 本文档详细介绍了三星推出的新一代DDR3内存颗粒，型号包括H5TQ4G83EFR和H5TQ4G63EFR系列的多个变体，如xxC、xxI、xxL、xxJ和xxK。这些内存颗粒是基于4,294,967,296位（4Gb）的CMOS Double Data Rate III（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM）设计，其主要特点在于能提供极高的数据传输速率和大容量内存解决方案，适用于需要大量内存和高带宽的应用，如服务器、工作站和高性能计算系统。 DDR3 SDRAM的主要优势在于其同步操作，它能与系统的时钟同步，读写操作同时在时钟的上升沿和下降沿触发，极大地提高了数据处理速度。这些内存颗粒还遵循环保标准，采用无铅和无卤素材料制造，符合欧盟的RoHS（ Restriction of Hazardous Substances）指令，确保产品在生产过程中的环境友好性。 文档的修订历史显示，该资料在2016年期间经历了多次更新，从0.1版本的初始稿，到1.0版本的x16 IDD（内部数据驱动电流）规格值更新，再到1.1版本的x8 IDD规格值更新，最后在1.2版本中特别针对汽车级别的温度适应性进行了改进。这表明三星在不断提升其产品的性能和可靠性，以满足不同应用领域的需求。 具体到内存颗粒的电气和功能特性，包括但不限于电源电压、工作温度范围、时序参数、功耗等关键指标，这些都会在完整的数据表中详细列出。此外，还有关于地址和控制信号、数据线的布局、内存模块的组织结构以及错误检测和纠正机制等信息。这些技术细节对于系统设计师和硬件工程师来说至关重要，他们需要这些信息来正确地集成和优化内存子系统，以实现高效且可靠的系统性能。 这份数据表提供了全面的参考资料，使得开发人员能够充分了解三星DDR3内存颗粒的特性和限制，从而在设计过程中做出最佳决策。无论是用于数据中心、高性能计算平台还是嵌入式系统，这些内存颗粒都展示出强大的性能潜力和兼容性。