"APM4315KC-TRL-VB是一款由VB Semiconductor制造的SOP8封装的P-Channel沟道场效应MOS管。这款MOS管具有TrenchFET技术,适用于电源管理中的负载开关应用,如笔记本电脑和台式电脑。其主要特性包括无卤素设计、100%的Rg和UIS测试,确保了产品的质量和可靠性。在VGS=10V时,RDS(ON)仅为10mΩ,而在VGS=20V时,RDS(ON)为12mΩ。阈值电压Vth为-1.42V。该器件的最大连续漏极电流ID在环境温度为25°C时为-11.6A,而脉冲漏极电流可达-40A。此外,最大功率耗散在25°C时为5.6W,在70°C时为3.6W,确保了在不同工作环境下的稳定运行。"
APM4315KC-TRL-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOP8小体积封装,便于在各种电子设备中集成。其关键参数包括:
1. **漏源电压VDS**:最大值为-30V,这意味着它能够在高达-30V的电压下正常工作,确保了在高电压环境下工作的稳定性。
2. **栅源电压VGS**:其阈值电压Vth为-1.42V,表示在栅极与源极之间需要施加至少-1.42V的电压才能开启MOSFET。同时,RDS(ON)在VGS=10V和20V时分别低至10mΩ和12mΩ,这使得在导通状态下,器件的电阻非常小,降低了导通损耗,适合于高效率的电源切换应用。
3. **电流能力**:连续漏极电流ID在25°C时可达到-11.6A,而脉冲漏极电流DM可以达到-40A,适用于大电流的快速开关场景。同时,连续源漏二极管电流IS在25°C时为-4.6A,保证了二极管反向恢复时的电流处理能力。
4. **热特性**:最大功率耗散PD在25°C和70°C时分别为5.6W和3.6W,这要求在设计电路时必须考虑散热,以确保器件在高温环境中不会过热。器件的结温范围为-55°C到150°C,允许在宽温范围内工作。
5. **安全特性**:100%的Rg和UIS测试确保了器件在应用中的可靠性和安全性,Rg测试检查了栅极电阻,UIS测试则验证了器件在高电压瞬态情况下的耐受能力。
6. **应用领域**:APM4315KC-TRL-VB特别适合用作负载开关,如在笔记本电脑和台式电脑中控制电源通断,其低RDS(ON)有助于减少功耗,提高系统效率。
APM4315KC-TRL-VB是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,适用于对低电阻和高电流处理能力有要求的电源管理场景。在设计电路时,应充分考虑其电气特性和热管理要求,以确保器件的长期稳定工作。