混合型薄膜晶体管研究：PMMA介质层IZO-TFT的制备

"PMMA介质层IZO-TFT的制备和研究 .pdf" 这篇论文主要探讨了使用PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）作为介质层的氧化铟锌（IZO）薄膜晶体管（TFT）的制备方法和性能研究。作者通过直流反应磁控溅射技术在室温下沉积IZO沟道层，然后采用浸渍提拉法制作PMMA有机介质层，最后通过热蒸发法制备铝栅、源和漏电极，构建出顶栅结构的IZO-TFT。 薄膜晶体管（TFT）是现代显示技术中的关键组件，尤其在平板显示器和柔性电子设备中广泛应用。本文关注的是混合型TFT，其中结合了无机的IZO沟道层和有机的PMMA介质层。IZO是一种透明导电氧化物，因其良好的电学性能和光学透明性而被广泛用于半导体器件中。 论文中提到的制备过程主要包括以下几个步骤： 1. 直流反应磁控溅射：这是一种物理气相沉积方法，通过在室温下用直流电源轰击合金靶材，沉积出IZO沟道层。这种方法能够在较低温度下进行，降低了对基底材料的热损伤风险。 2. 浸渍提拉法：这是一种简便且成本较低的制备有机薄膜的方法，通过将基底浸入PMMA溶液中，然后缓慢提拉出来，形成均匀的有机介质层。 3. 热蒸发：这是一种常见的金属薄膜沉积技术，通过加热使铝蒸发，然后在冷却过程中在TFT结构上形成高纯度的电极。 研究结果显示，所制备的IZO-TFT具有较高的饱和迁移率（7.67 cm²/Vs），这表明器件的电荷载流子传输效率较高。此外，PMMA介质层与IZO沟道层之间的界面平整，有利于提高器件的稳定性和开关性能。在可见光区，器件的平均透射率超过85%，这意味着其在透明电子设备中具有优良的光学性能。 关键词涉及的领域包括薄膜晶体管技术、氧化铟锌薄膜的特性以及PMMA介质层的应用。文章的中图分类号O753.2可能指的是物理电子学或相关领域的分类。 该研究为实现高性能、低成本且适用于柔性电子应用的TFT提供了新的制备方案，具有潜在的工业应用价值。通过优化工艺参数和材料选择，未来有可能进一步提升器件的性能，并推动透明、可弯曲电子设备的发展。