STM32嵌入式开发：Flash闪存详解

"本资源是21天学会嵌入式开发系列教程的第10章，专注于讲解Flash技术，特别是与单片机相关的应用。内容涵盖了Flash闪存的结构、基本特性和编程方法，适用于STM32等高性能微控制器的学习者。" 在嵌入式系统开发中，Flash存储器扮演着至关重要的角色，特别是在单片机（如STM32）的领域。此教程的第十讲主要探讨了以下三个关键知识点： 1. Flash闪存的结构： STM32系列的高性能闪存模块提供大容量存储，例如512K字节，并且具有超过10万次的擦写耐久性。在128K的STM32中，闪存被分为两个部分：主存储块（16Kx64位）用于存放程序代码和数据，而信息块（320x64位）通常用于存储配置信息或非易失性参数。 2. Flash闪存的基本特性： - **读取**：Flash读取涉及等待时间，这是从请求数据到数据可用的时间；预取机制，允许连续读取数据以提高速度；以及半周期，定义了数据传输速率的一半周期。 - **编程和擦除**：Flash的编程和擦除过程有其特殊性，通常需要特定的电压和时序。编程涉及到将数据写入存储单元，而擦除则清除整个块或区域的数据。 3. Flash的编程方法： - **Flash寄存器**：在STM32中，Flash控制涉及到多个寄存器，如ACR（Flash进入控制寄存器）、SR（Flash状态寄存器）、CR（Flash控制寄存器）等，这些寄存器用于设置等待状态、启动编程或擦除操作、检查操作状态等。 - **库函数**：为了简化编程，STMicroelectronics提供了库函数，如Flash_SetLatency和Flash_HalfCycleAccessCmd，分别用于设置访问延迟时间和启用半周期访问，方便开发者高效地管理Flash操作。 此外，还提到了选项字节（Option Bytes）的结构，包括读出保护（RDP）、用户选项字节（USER）、数据选项字节（Data0/1）和写保护选项字节（WRP0-3），这些字节用于设定微控制器的启动行为、安全特性及其它配置。 通过本章节的学习，开发者能够理解STM32中Flash的组织方式，掌握如何利用其特性进行编程、擦除操作，以及如何利用库函数和寄存器进行有效管理，这对于嵌入式系统尤其是实时系统的优化至关重要。