三星K7N161801M数据手册：512Kx36&1Mx18位Pipelined NtRAM

"SAMSUNG-K7N161801M.pdf 是一份由三星电子发布的关于512Kx36&1Mx18位Pipelined NtRAM（非易失性静态随机存取存储器）的数据手册。这份文档详细介绍了该内存芯片的规格和技术特性。文档经过多次修订，最终版本为Rev1.0，发布日期为1999年12月。三星电子保留对产品规格进行更改的权利，并承诺对客户关于设备参数的询问给予评估和回应。" 本文档的主要内容包括以下几个方面： 1. **产品规格**：K7N161801M和K7N163601M是512Kx36位和1Mx18位的Pipelined NtRAM芯片，这类内存具有高速流水线操作的特点，适用于需要快速读写和数据持久性的应用。 2. **电流消耗**：在不同的工作条件下，芯片的电流消耗进行了调整。例如，ISB（闲置状态电流）在不同电压下经历了多次修改，反映了三星对能效优化的持续改进。 - Rev0.1至0.3期间，ISB值逐步增加，可能是因为更精细的性能测试和实际应用需求。 - Rev1.0中，Icc（工作电流）也有所调整，反映了功耗管理的改进，例如在-67、-75和-10的工作电压下，电流值相应调整。 3. **引脚分配**：在Rev1.0的更新中，针对119BGA封装的芯片，引脚分配发生了变化，涉及A、B、G、H和M区的引脚重新定义，这可能是为了优化信号传输和提高系统兼容性。 4. **工作频率**：在文档的修订过程中，可能增加了对CYC167MHz的支持，这意味着芯片可以支持高达167MHz的时钟频率，提升了内存的运行速度。 5. **直流条件和参数**：文档还涉及到直流工作条件的变更，例如Icc的调整，这表明三星在确保芯片稳定工作的同时，也在优化其在不同电压下的性能表现。 SAMSUNG-K7N161801M.pdf是一个关于高性能Pipelined NtRAM内存芯片的技术资料，它提供了详细的电气特性、引脚配置和功耗信息，对于设计和使用该类型内存的工程师来说是重要的参考资料。随着版本的迭代，三星不断优化了产品的性能和能效，以满足日益增长的高速存储需求。