AFN4546S8RG-VB: 40V 10A N-Channel Trench MOSFET for Synchronous ...

AFN4546S8RG-VB是一款采用SOP8封装的N-Channel场效应MOS管，它由VBSEMI公司生产，符合环保标准，包括无卤素设计，符合IEC61249-2-21要求。这款MOSFET采用了先进的Trench FET技术，确保了高性能和可靠性。 该器件的主要特性包括： 1. **电压等级**：N-Channel沟道设计，最大允许的Drain-Source（D-S）电压高达40V，具有良好的击穿电压保护能力。 2. **电流规格**：在VGS=10V时，其RDS(ON)（开启态导通电阻）低至14mΩ，这意味着在理想条件下，它能提供较高的开关速度和效率。当VGS升至20V时，仍保持较低的电阻值。同时，该器件可以承受持续电流ID高达50A，在150°C时的脉冲电流（IDM）可达15A，支持高功率应用。 3. **散热管理**：为了保证元器件在高温条件下的性能，它经过了100% Rg和UISTest，表明其在热稳定性方面表现良好。最大功率损耗在不同温度下限制在3.8W（TA=25°C）和2.5W（TA=70°C），并且建议在25°C的环境温度下工作，除非另有说明。 4. **安全特性**：符合RoHS指令2002/95/EC，强调了对有害物质的严格控制，确保了产品的绿色和环保。 5. **应用领域**：AFN4546S8RG-VB适用于各种高性能应用，如同步整流、电源转换器（如POL和IBC）以及二次侧电路。 6. **封装与尺寸**：这款MOSFET采用小型SOP8封装，方便在1"x1" FR4板上表面安装，占用空间小。 7. **温度兼容性**：操作结温范围和存储温度范围广泛，但具体温度限制如25°C和70°C需在产品符号和限制参数中查找。 8. **电容注意事项**：在某些情况下，如在10秒（t=10s）的测试条件下，源极-漏极二极管电流（S）典型值为5A，这在选择电路设计时需要注意。 AFN4546S8RG-VB是一款高效、可靠且符合环保标准的N-Channel MOSFET，适合在需要大电流、低导通电阻和高散热能力的电子设备中使用。在设计电路时，应充分考虑其电气参数、功率限制以及温度条件，以确保最佳性能和系统稳定性。