英飞凌BSC016N06NST MOSFET:60V优化同步整流芯片

需积分: 5 0 下载量 79 浏览量 更新于2024-08-04 收藏 1.38MB PDF 举报
"BSC016N06NST是英飞凌(INFINEON)推出的一款OptiMOSTM Power-MOSFET,专为同步整流设计,具有高性能和高可靠性的特点。这款60V耐压的N沟道MOSFET在多个方面表现出色: 1. 优化设计:它针对同步整流应用进行了优化,能够高效地转换电源,并减少损耗。 2. 高温耐受:BSC016N06NST最高工作温度可达175°C,适合高温环境下的稳定运行。 3. 高可靠性:通过100%的雪崩测试,确保在过电压条件下也能保持良好的性能。此外,超大的源连接区域提高了焊点可靠性。 4. 电气参数:其最大导通电阻(RDS(on))为1.6mΩ,最大持续电流ID达到100A,这使得它在大功率应用中有出色的表现。同时,它还具有低的关断电荷QOSS和低的导通电荷QG,有助于快速响应和降低噪声。 5. 环保标准:产品采用无铅封装和符合RoHS(Restriction of Hazardous Substances)标准,以及卤素免费,符合IEC61249-2-21标准,有利于环境保护。 6. 型号与代码:型号为BSC016N06NST,采用TDSON-8FL封装,相应的订购代码为016N06NT。产品符合J-STD20和JESD22等工业标准。 7. 文档结构:规格书中包含描述、最大额定值、热特性、电气特性和电气特性图表等详细信息,以及包装布局图等实用数据。 BSC016N06NST是一款适合高频、高效率和高可靠性的电力电子应用的理想选择,尤其在对散热和开关速度有严格要求的场合,如电机控制、开关电源等。对于工程师而言,这份规格书提供了所有必要的设计参数和技术支持,方便他们在实际项目中选择和应用这款MOSFET。"