新型高压集成电路技术：PDP扫描驱动的实现与优化

"这篇文章是关于应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺的研究，主要涉及PDP扫描驱动IC的设计和新型高压BCD工艺的介绍。作者通过设计新型场氧作厚栅HV-pMOS和薄栅氧HV-nVDMOS器件，简化了工艺流程，降低了成本，并在实际测试中证明了其高效能。" 在等离子显示技术中，扫描驱动集成电路（IC）起着至关重要的作用。这种集成电路用于控制等离子显示板（PDP）中的各个像素，确保图像的准确呈现。文章详细阐述了PDP扫描驱动IC的结构和工作原理，揭示了如何利用集成电路实现对等离子显示板的高效驱动。 文章提出了一种新的高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，该工艺与2.0微米的标准CMOS工艺完全兼容。这一创新旨在解决传统工艺在高压应用中的局限性，同时降低制造复杂性和成本。通过设计新型的场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件，实现了高压驱动功能，而无需额外的工艺步骤。具体来说，新工艺减少了三个光刻版、两次注入（HV-N阱和PDM）以及一次氧化工艺，这些改进显著简化了制造流程。 实验结果显示，采用这种新工艺制造的HV-nVDMOS和HV-pMOS晶体管能够承受超过165伏的电压，满足了系统设计的需求。此外，当电源电压为90伏，负载为200皮法时，PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别达到165纳米和30纳米，这表明芯片具有强大的驱动电流能力，能够快速响应并提供稳定的工作性能。 关键词涵盖等离子平板显示屏、扫描驱动集成电路和高压驱动电路，表明研究的重点在于优化PDP驱动IC的高压性能，以提高显示质量和效率。文章的贡献在于提供了新的集成电路设计策略，有助于推动等离子显示技术的进步，并可能对其他高压应用领域产生影响。 这篇论文详细探讨了等离子显示驱动IC的高压集成电路工艺创新，展示了如何通过改进工艺流程和器件设计来提升性能和降低成本，对于从事微电子、显示技术或集成电路设计的工程师和研究人员具有很高的参考价值。