FDS9926A-NL-VB:双N沟道20V MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"FDS9926A-NL-VB是一种双通道N沟道功率MOSFET,采用SOP8封装,适用于各种电源管理、开关应用等。这款器件符合RoHS指令,并且无卤素,具有TrenchFET®技术,确保了其在低电阻和高效能方面的表现。"
FDS9926A-NL-VB是一款由VBsemi公司生产的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它采用了TrenchFET®技术,这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构,实现了更小的尺寸和更低的导通电阻,从而提升了效率和热性能。每个通道的连续漏源电流(ID)在25°C时分别为7.1A(VGS=2.5V)和5.7A(TJ=70°C),并且在VGS=4.5V时,RDS(on)仅为0.019Ω,表明其在低电压下仍能保持良好的导通状态。
该器件的额定漏源电压VDS为20V,门极源极电压VGS的最大值为±12V。短脉冲漏极电流IDM可达40A,而连续源电流IS最大为1.7A。最大功率耗散在25°C时为2W,在70°C时降至1.3W,确保了在不同工作环境温度下的稳定性。
此外,FDS9926A-NL-VB的绝对最大额定值包括结温范围从-55°C到150°C,这使得它能够在广泛的温度范围内可靠工作。其热特性方面,结到外壳的热阻RthJA为62.5°C/W,这意味着在高功率运行时,器件能够有效地散发热量。
该器件的封装形式是SO-8,其中引脚2、3、4和1分别对应两个独立N沟道MOSFET的源极(S1、S2)、漏极(D1、D2)和栅极(G1、G2)。这种封装设计有利于在紧凑的空间内实现双通道控制,特别适合于需要独立控制或同步开关的应用,如电源转换器、电机驱动和负载开关。
总结来说,FDS9926A-NL-VB是一款高性能、环保的双通道N沟道MOSFET,凭借其低RDS(on)、高电流能力以及优化的热特性,适用于要求高效、小型化和低功耗的电路设计。用户可以通过VBsemi公司的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和技术支持。
2023-12-22 上传
2023-12-18 上传
2024-01-09 上传
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2023-12-29 上传
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