FDS9926A-NL-VB：双N沟道20V MOSFET技术规格

"FDS9926A-NL-VB是一种双通道N沟道功率MOSFET，采用SOP8封装，适用于各种电源管理、开关应用等。这款器件符合RoHS指令，并且无卤素，具有TrenchFET®技术，确保了其在低电阻和高效能方面的表现。" FDS9926A-NL-VB是一款由VBsemi公司生产的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用了TrenchFET®技术，这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构，实现了更小的尺寸和更低的导通电阻，从而提升了效率和热性能。每个通道的连续漏源电流（ID）在25°C时分别为7.1A（VGS=2.5V）和5.7A（TJ=70°C），并且在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为0.019Ω，表明其在低电压下仍能保持良好的导通状态。 该器件的额定漏源电压VDS为20V，门极源极电压VGS的最大值为±12V。短脉冲漏极电流IDM可达40A，而连续源电流IS最大为1.7A。最大功率耗散在25°C时为2W，在70°C时降至1.3W，确保了在不同工作环境温度下的稳定性。 此外，FDS9926A-NL-VB的绝对最大额定值包括结温范围从-55°C到150°C，这使得它能够在广泛的温度范围内可靠工作。其热特性方面，结到外壳的热阻RthJA为62.5°C/W，这意味着在高功率运行时，器件能够有效地散发热量。 该器件的封装形式是SO-8，其中引脚2、3、4和1分别对应两个独立N沟道MOSFET的源极（S1、S2）、漏极（D1、D2）和栅极（G1、G2）。这种封装设计有利于在紧凑的空间内实现双通道控制，特别适合于需要独立控制或同步开关的应用，如电源转换器、电机驱动和负载开关。 总结来说，FDS9926A-NL-VB是一款高性能、环保的双通道N沟道MOSFET，凭借其低RDS(on)、高电流能力以及优化的热特性，适用于要求高效、小型化和低功耗的电路设计。用户可以通过VBsemi公司的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和技术支持。