Verilog SRAM教程：带注释的FPGA设计示例

本篇文章是关于如何在FPGA设计中使用Verilog语言实现一个简单的静态随机存取存储器(SRAM)模块，并附带详细的注释，以帮助初学者理解代码结构和工作原理。以下是主要内容的详细解释： 1. **模块定义**: `modulesram_test`是一个包含输入、输出和内部信号的Verilog模块。参数有： - `clk`: 50MHz时钟输入 - `rst_n`: 低电平有效的复位信号 - `led`: 输出，用于指示操作状态，如数据写入或读取 - `sram_addr`: 15位地址线，用于控制SRAM的访问位置 - `sram_wr_n`: 低电平有效，用于SRAM写入控制 - `sram_data`: 8位双向数据总线，用于读写操作 2. **延迟计数器**: 使用了一个`reg`变量`delay`来模拟延迟，它在每次时钟上升沿和下降沿更新。当`rst_n`为高（复位）时，`delay`初始化为0；否则，`delay`每周期递增1，达到1.28秒的延时。这个延时主要用于控制读写请求的发生，确保操作按照特定的时间间隔进行。 3. **数据暂存器**: - `wr_data`: 8位写入数据暂存区，用于存储将要写入SRAM的数据，在延迟满足条件后写入。 - `rd_data`: 8位读取数据暂存区，用于存储SRAM读取后的数据。 - `addr_r`: 15位地址暂存区，与`sram_addr`同步更新，用于跟踪写入和读取操作的地址。 4. **请求信号生成**: - `sram_wr_req`: 写入请求信号，根据`delay`值的变化（达到9999）生成，表示写操作即将发生。 - `sram_rd_req`: 读取请求信号，根据`delay`值的变化（达到19999）生成，表示读操作即将发生。 5. **LED状态指示**: - `led_r`: 用作LED状态输出，表示正在进行的读写操作。当`delay`等于2009时，`led_r`被设置为高电平，指示读取操作完成。 6. **状态机**: - 两个`always @(posedge clk or negedge rst_n)`块分别处理写入和读取操作。当复位信号有效时，它们清零对应的数据暂存区；在延迟时间到达时，数据暂存区更新，并发出相应的请求信号。 通过这篇代码，初学者可以了解Verilog编程中如何设计一个基本的SRAM模块，包括时序逻辑的控制以及如何结合复位信号和时钟来实现读写操作的触发。此外，注释使得理解和修改代码变得更加容易。这是一段适合学习者实践和理解Verilog基础的好例子。