SUP85N03-3M6P-GE3-VB：N沟道30V TrenchFET MOSFET应用与规格

"SUP85N03-3M6P-GE3-VB是一种N沟道TO220封装的MOS场效应晶体管，具备TrenchFET®技术，适用于电源管理、服务器和DC/DC转换器等领域。该器件符合RoHS指令2011/65/EU的要求，具有100%的Rg和UIS测试。" 这款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要特点包括采用了先进的TrenchFET®技术，这是一种通过在硅片上挖掘精细沟槽来提高开关性能和降低导通电阻的技术。其额定的漏源电压VDS为30V，这意味着它能够在不超过30V的电压下安全工作。门源电压VGS的最大值为±20V，确保了器件的稳定控制。 在应用方面，SUP85N03-3M6P-GE3-VB适合用于OR-ing电路，即并联电源以提供冗余或负载共享，以及在服务器和DC/DC转换器等高效率电源系统中。这些应用通常需要MOSFET有较高的电流处理能力和良好的热管理特性。 该MOSFET的连续漏极电流ID在不同温度下有不同的最大值，例如在25°C时为120A，在70°C时则降为60A。此外，其脉冲漏极电流IDM达到380A，表明在短暂的时间内，它可以处理更高的电流峰值。同时，器件内置的源漏二极管可以承受90A的连续电流IS。 在热性能方面，这款MOSFET的最大功率耗散在25°C时为250W，而70°C时降至175W。这些数值是基于特定条件下的结温(TJ)计算得出的。器件的热阻抗参数提供了关于其散热效率的信息，包括芯片到环境的热阻(RθJA)，这对于确定在实际应用中的温升至关重要。 在安全操作区域，这款MOSFET还经过了Avalanche电流脉冲和单脉冲雪崩能量测试，保证了在过载情况下的稳定性。其最大瞬态结温TJ可达到175°C，但长期存储和运行的温度范围应保持在-55°C至175°C之间。 SUP85N03-3M6P-GE3-VB是一款高性能、高可靠性且符合环保标准的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、大电流处理和良好热管理的电源应用。