英飞凌IKW75N60T：低损耗DuoPack IGBT与高效反向恢复二极管

"英飞凌 IKW75N60T 是一款应用于变频器、电磁炉、UPS开关电源和逆变器的低损耗双封装IGBT，采用TrenchStop®和Fieldstop技术，配备软恢复、快恢复的反并联EmCon HE二极管。" 英飞凌的IKW75N60T是一款高性能的功率半导体器件，它集成了TrenchStop®技术和Fieldstop技术，旨在提供低损耗和高效能的解决方案。这款IGBT（绝缘栅双极晶体管）与内置的软恢复、快恢复反并联EmCon HE二极管组合，适用于需要高开关速度和低电磁干扰（EMI）的应用。 该器件的关键特性包括： 1. 极低的饱和电压VCE(sat)：典型值为1.5V，这在降低功耗方面起着关键作用。 2. 最大结温Tj,max达到175°C，意味着它能在高温环境下稳定工作。 3. 短路承受时间长达5微秒，提高了设备的抗短路能力。 4. 正温度系数在VCE(sat)中体现，有助于防止温度升高时电流过载。 5. 参数分布非常紧密，确保了性能的一致性和可靠性。 6. 高耐受性，其温度稳定的行为增强了设备的耐用性。 7. 非常高的切换速度，适合高频操作。 8. 低EMI设计，减少了电磁辐射，符合环保标准。 9. 反并联的EmCon HE二极管具有非常软且快速的恢复特性，降低了开关损失。 IKW75N60T的额定参数包括600V的集电极-发射极电压（VCE）、在Tj=25°C下的饱和电压VCE(sat)为1.5V，以及最大结温Tj,max为175°C。它的封装标记为K75T60，采用PG-TO-247-3-21封装。此外，它满足JEDEC标准，适用于目标应用，并且符合无铅焊料和RoHS指令。 这款器件广泛应用于频率转换器、不间断电源（UPS）和逆变器等电力电子设备。英飞凌提供了完整的产品系列和PSpice模型，方便设计者进行电路模拟和优化。 英飞凌IKW75N60T是电力电子领域的先进组件，其低损耗、高耐压和快速切换能力使其成为变频器、电磁炉、UPS和逆变器等应用的理想选择。其可靠性和环境友好特性进一步增强了其在市场上的竞争力。