英飞凌OptiMOSTM MOSFET ISC019N03L5S技术规格

"ISC019N03L5S是一款由英飞凌（INFINEON）制造的电子元器件芯片，属于SuperSO8封装的N沟道OptiMOSTM功率MOSFET，适用于高性能Buck转换器。该芯片具有非常低的导通电阻RDS(on)（在VGS=4.5V时仅为1.9毫欧），优秀的热性能，无铅电镀，符合RoHS标准，并且是无卤素产品。根据JEDEC标准进行产品验证。主要参数包括：最大电压VDS为30V，最大导通电阻RDS(on)为1.9mΩ，连续电流ID为100A，栅极电荷QG（0V到10V）为44nC，漏源电荷QOSS为25nC。芯片采用PG-TDSON-8封装，型号标识为ISC019N03L5S，封装标记为019N03L5。" 详细内容： 英飞凌的ISC019N03L5S是一款高效能的OptiMOSTM功率MOSFET，设计用于高压电源转换，特别是高效率的Buck转换器。其低RDS(on)特性意味着在开关操作中，它能够以较低的功率损耗提供高电流，从而提高了系统的能效。此外，这款MOSFET的超级SO8封装（SuperSO8）有助于优化热管理，确保在高功率应用中的稳定运行。 芯片的电气特性包括其耐压能力，VDS的最大值为30V，这意味着它可以承受高达30伏的电压差，而不会发生击穿。RDS(on)，即导通状态下的电阻，是衡量MOSFET效率的重要参数，其1.9毫欧的低值表明在正常工作条件下，ISC019N03L5S能提供极低的传导损耗。此外，连续电流ID的最大值为100A，意味着它可以在大电流环境下持续工作。 ISC019N03L5S还具有快速开关性能，栅极电荷QG和漏源电荷QOSS分别为44nC和25nC。这两个参数影响了MOSFET的开关速度和开关过程中的能量损耗。低栅极电荷意味着更快的开关速度，而低漏源电荷则减少了开关过程中的动态损耗。 该芯片符合无铅和无卤素的环保要求，符合IEC61249-2-21标准，表明其对环境友好。产品已通过JEDEC标准的验证，保证了其可靠性和一致性。 数据手册中还包括了最大额定值、热特性和电气特性图表等详细信息，帮助工程师理解和评估其在实际应用中的性能。修订历史和商标信息提供了关于产品开发和知识产权的额外细节。 总结来说，ISC019N03L5S是一款高性能、低损耗、环保的N沟道MOSFET，适用于需要高效能电源转换的电子系统，如计算机电源、电池管理系统或工业电源设备。其卓越的电气特性和封装设计使其成为高要求应用的理想选择。