IRLML0040TRPBF-VB: 30V N沟道SOT23封装高性能MOS管

IRLML0040TRPBF-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET，由国际知名制造商设计制造。这款器件的特点显著，符合环保标准，采用先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术，具有出色的性能和可靠性。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准，确保在电子设备中减少有害物质的使用，保护环境。 2. **沟槽场效应晶体管**：通过深度沟槽结构提高开关效率和热稳定性。 3. **高可靠测试**：100%的Rg（栅极电阻）测试，确保产品的长期稳定性能。 4. **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC指令，关注电子废物管理和有害物质管理。 5. **电压规格**：额定的Drain-Source Voltage (VDS) 达到30V，而Gate-Source Voltage (VGS) 具有±20V的工作范围。 6. **电流规格**：在常温下，持续导通电流ID（最大值）在30°C时为6.5A，而在70°C时降低至6A。脉冲电流限制（IDM）为25A。 7. **内部电荷存储**：典型情况下，Gate-Drain漏极间电荷Qg在10V VGS下为4.5nC，在4.5V VGS下为6.0nC。 8. **散热与功率**：最大功耗PD在25°C下为1.7W，但在70°C下降为1.1W。存储温度范围广泛，从-55°C到150°C。 9. **封装与尺寸**：采用紧凑的SOT-23封装，占用空间小，适合表面安装，可安装在1"x1" FR4电路板上。 10. **温度条件**：在不同温度条件下，如操作结温TJ和储存温度Tstg均在-55°C到150°C之间。 在应用方面，IRLML0040TRPBF-VB适用于直流-直流转换器等需要高性能、小型化和低功耗的电子系统中。在选择和使用时，请注意包装限制，以及在焊接过程中应遵循的最高温度推荐，以避免对器件造成损害。此外，该器件的热阻参数也提供了关于散热管理的重要指导。