模拟电子技术期末复习要点：本征半导体与二极管三极管

模拟电子技术基础期末复习总结涵盖了多个核心概念，主要包括以下几个方面： 1. 本征半导体：这是最基本的半导体类型，没有掺杂杂质，通过外部能量激发产生电子和空穴，它们是半导体中的载流子。温度上升会增加载流子对的数量，从而影响半导体的电导性。 2. 掺杂半导体：分为N型和P型，N型半导体中有更多的自由电子（多子），而空穴较少；P型半导体则相反，空穴多于自由电子。这两种半导体的区别在于掺入的杂质不同，N型有正离子，P型有负离子。 3. 二极管与PN结：二极管由PN结构成，具有单向导电性，即正向偏置时允许电流通过，反向偏置时阻断电流。理解正反向偏置的特性以及伏安特性曲线至关重要。 4. 三极管：如NPN和PNP类型，以及硅管和锗管的区别。三极管的工作状态包括放大、饱和和截止，每个状态对应不同的偏置条件和电流特性。放大电路的设计需考虑直流偏置和信号传输，如保持发射结正偏、集电结反偏等。 5. 放大电路：由特定组成原则构成，包括选择合适的偏置方式、信号输入和输出处理，以及评估放大电路的性能指标，如电压放大倍数、输入和输出电阻、频带宽度和失真度等。 6. 基本组态：共射极、共基极和共集电极是三极管的三种基本电路配置，每种配置决定了输入和输出信号的连接方式。 7. 分析方法：静态工作点的计算可以使用估算法（近似计算法），依赖于直流负载方程和预设的硅管或锗管的UBE值。图解法和微变等效电路法则是更深入的分析手段，研究晶体管在不同工作状态下的电流分配和偏置情况。 这份期末复习总结覆盖了模拟电子技术的基础知识，包括半导体的分类、二极管和三极管的基本原理、放大电路的设计和性能评估，以及分析方法的运用，对理解和掌握这一领域的知识非常关键。